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1. (WO2008079684) COUCHES DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS POUR DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/079684 N° de la demande internationale : PCT/US2007/087167
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 12.12.2007
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : CHEN, Jian[CN/US]; US (UsOnly)
DUAN, Xiangfeng[CN/US]; US (UsOnly)
CRUDEN, Karen[US/US]; US (UsOnly)
LIU, Chao[CN/US]; US (UsOnly)
NALLABOLU, Madhuri, L.[IN/US]; US (UsOnly)
RANGANATHAN, Srikanth[IN/US]; US (UsOnly)
LEON, Francisco[US/US]; US (UsOnly)
PARCE, J., Wallace[US/US]; US (UsOnly)
NANOSYS, INC.[US/US]; 2625 Hanover Street Palo Alto, CA 94304, US (AllExceptUS)
Inventeurs : CHEN, Jian; US
DUAN, Xiangfeng; US
CRUDEN, Karen; US
LIU, Chao; US
NALLABOLU, Madhuri, L.; US
RANGANATHAN, Srikanth; US
LEON, Francisco; US
PARCE, J., Wallace; US
Mandataire : RITTNER, Mindy, N.; Brinks Hofer Gilson & Lione P.O. Box 10087 Chicago, IL 60610, US
Données relatives à la priorité :
07252410.114.06.2007EP
11/641,95620.12.2006US
11/688,08719.03.2007US
11/743,08501.05.2007US
60/931,48823.05.2007US
Titre (EN) ELECTRON BLOCKING LAYERS FOR ELECTRONIC DEVICES
(FR) COUCHES DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS POUR DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Abrégé :
(EN) Methods and apparatus for electronic devices such as non-volatile memory devices are described. The momory devices include a multi-layer control dielectric, such as a double or triple layer. The multi-layer control electric includes a combination of high-k dielectric meterials such as aluminium oxide (A12O3), Hafnium oxide (HfO2), and/or hybrid films of Hafnium aluminium oxide. The multi-layer control dielectric provides enhanced characteristics, including increased charge retention, enhanced memory program/erase window, improved reliability and stability, with feasibility for single or multistate (e.g, two, three or four bit) operation.
(FR) L'invention concerne des procédés et un appareil pour dispositifs électroniques tels que des dispositifs de mémoire non volatile. Les dispositifs de mémoire comprennent un diélectrique de commande multicouche, tel qu'une couche double ou triple. Le diélectrique de commande multicouche comprend une combinaison de matériaux diélectriques de k élevé tels que l'oxyde d'aluminium (Al2O3), l'oxyde de hafnium (HfO2) et/ou des films hybrides d'oxyde de hafnium aluminium. Le diélectrique de commande multicouche présente des caractéristiques améliorées, comprenant une rétention de charge améliorée, une fenêtre de programme/effacement de mémoire améliorée, une fiabilité et une stabilité améliorées, avec la possibilité d'effectuer une opération unique ou d'états multiples (par exemple à deux, trois ou quatre bits).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)