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1. (WO2008079564) STRUCTURE PHOTONIQUE HAUTE TEMPÉRATURE POUR FILAMENT DE TUNGSTÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/079564    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/085346
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.11.2007
CIB :
H01K 1/02 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US) (Tous Sauf US).
AURONGZEB, Deeder, M. [BD/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AURONGZEB, Deeder, M.; (US)
Mandataire : GNIBUS, Michael; General Electric Company, Global Patent Operation, 187 Danbury Road, Suite 204, Wilton, CT 06897 (US)
Données relatives à la priorité :
11/642,193 20.12.2006 US
Titre (EN) HIGH TEMPERATURE PHOTONIC STRUCTURE FOR TUNGSTEN FILAMENT
(FR) STRUCTURE PHOTONIQUE HAUTE TEMPÉRATURE POUR FILAMENT DE TUNGSTÈNE
Abrégé : front page image
(EN)The invention is directed to a process for the creation of a photonic lattice on the surface of an emissive substrate (10) comprising first depositing a thin film metal layer on at least one surface of the substrate, the thin film metal comprising a metal having a melting point lower than the melting point of the substrate, then annealing the thin film metal layer and the substrate to create nano-particles on the substrate surface by dewetting, and anodizing or plasma etching the annealed thin film metal and substrate to create pores (18) in the nano-particles and the substrate such that upon exposure to high temperature the emissivity of the substrate is refocused to generate emissions in the visible and lower infrared region and to substantially eliminate higher infrared emission, and to the substrate thus created.
(FR)Cette invention concerne un procédé de création d'un réseau photonique sur une surface d'un substrat émissif, qui consiste à: déposer d'abord une couche métallique mince sur au moins une surface du substrat, le métal en couche mince présentant un point de fusion inférieur à celui du substrat; recuire ensuite la couche métallique mince et le substrat afin de créer des nanoparticules à la surface du substrat; puis anodiser ou graver au plasma le métal en couche mince et le substrat afin de créer des pores dans les nanoparticules et le substrat de sorte que, après exposition à une température élevée, l'émissivité du substrat soit reconcentrée pour générer des émissions dans la région visible et inférieure des rayons infrarouges, et pour éliminer sensiblement une émission supérieure de rayons infrarouges. L'invention concerne en outre le substrat ainsi créé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)