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1. (WO2008079221) QUASI-TRANCHES DE POLYSILICIUM ET PROCÉDÉ UTILISÉ AVEC CELLES-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/079221    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/025844
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 18.12.2007
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : INTEGRATED MATERIALS, INC.; 1169 Borregas Avenue, Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
BOYLE, James, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
REYNOLDS, Reese [US/US]; (US) (US Seulement).
ZEHAVI, Raanan, Y. [IL/US]; (US) (US Seulement).
CADWELL, Tom, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
MYTTON, Doris [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOYLE, James, E.; (US).
REYNOLDS, Reese; (US).
ZEHAVI, Raanan, Y.; (US).
CADWELL, Tom, L.; (US).
MYTTON, Robert, W.;
Mandataire : GUENZER, Charles; Law Offices Of Charles Guenzer, 2211 Park Boulevard, P.O. Box 60729, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
60/871,618 22.12.2006 US
Titre (EN) POLYSILICON DUMMY WAFERS AND PROCESS USED THEREWITH
(FR) QUASI-TRANCHES DE POLYSILICIUM ET PROCÉDÉ UTILISÉ AVEC CELLES-CI
Abrégé : front page image
(EN)Non-production wafers of polycrystalline silicon are placed in non-production slots of a support tower for thermal processing monocrystalline silicon wafers. They may have thicknesses of 0.725 to 2mm and be roughened on both sides. Nitride may be grown on the non-production wafers to a thickness of over 2&mgr;m without flaking. The polycrystalline silicon is preferably randomly oriented Czochralski polysilicon grown using a randomly oriented seed, for example, CVD grown silicon. Both sides are ground to introduce sub- surface damage and then oxidized and etch cleaned. An all-silicon hot zone of a thermal furnace, for example, depositing a nitride layer, may include a silicon support tower placed within a silicon liner and supporting the polysilicon non-production wafers with silicon injector tube providing processing gas within the liner.
(FR)Tranches non produites de silicium polycristallin qui sont placées dans des fentes non produites d'une tour de support pour traiter thermiquement des tranches de silicium monocristallin. Elles peuvent avoir des épaisseurs de 0,725 à 2 mm et peuvent être durcies sur les deux côtés. Du nitrure peut être développé sur les tranches produites jusqu'à une épaisseur de plus de 2 µm sans exfoliation. Le silicium polycristallin correspond de préférence à du polysilicium Czochralski choisi de façon aléatoire développé en utilisant une graine choisie de façon aléatoire, par exemple, du silicium développé par CVD. Les deux côtés sont développés pour introduire un dommage souterrain et ensuite oxydés et nettoyés par gravure. Une zone chaude tout silicium d'un four thermique, par exemple, déposant une couche de nitrure, peut comporter une tour de support de silicium placée à l'intérieur d'un séparateur de silicium et supportant les tranches non produites de polysilicium avec un tube injecteur de silicium fournissant du gaz de traitement à l'intérieur du séparateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)