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1. (WO2008079189) INTERFACE À GRANDE VITESSE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/079189 N° de la demande internationale : PCT/US2007/024346
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.11.2007
CIB :
G06F 13/14 (2006.01)
Déposants : EILERT, Sean, S.[US/US]; US (UsOnly)
ROZMAN, Rodney, R.[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : EILERT, Sean, S.; US
ROZMAN, Rodney, R.; US
Mandataire : VINCENT, Lester, J. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040, US
Données relatives à la priorité :
11/644,27021.12.2006US
Titre (EN) HIGH SPEED INTERFACE FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) INTERFACE À GRANDE VITESSE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN) NAND flash memory devices are typically used to store data that is to be read out in large blocks (e.g., digitized images or music). Because of the slow access times of NAND flash, several devices may be placed on a common bus in parallel and accessed at approximately the same time. When the data from each one is available, it can be read one device at a time. However, placing all those input/output (170) pins in parallel may cause capacitive loading that degrades the signal quality on the bus and thereby reduces the maximum useful throughput on the bus. Alternatively, accessing only one device at a time may cause the access times to accumulate, also slowing down overall throughput of the bus.
(FR) Des dispositifs à mémoire flash NON-ET sont typiquement utilisés pour stocker des données qui doivent être lues dans de gros blocs (par exemple des images ou de la musiques numérisées). En raison des lents temps d'accès d'une mémoire flash NON-ET, plusieurs dispositifs peuvent être mis sur un bus commun en parallèle et on peut y accéder à peu près au même moment. Lorsque les données provenant de chacun sont disponibles, un seul dispositif peut être lu à la fois. Cependant, le fait de placer toutes ces broches d'entrée/sortie (170) en parallèle peut provoquer une charge capacitive qui dégrade la qualité des signaux sur le bus et réduit de cette façon le débit utile maximal sur le bus. Sinon, le fait d'accéder à un seul dispositif à la fois peut provoquer l'accumulation des temps d'accès, ce qui ralentit également le débit global du bus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)