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1. (WO2008079077) STRUCTURE NANOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/079077    N° de la demande internationale :    PCT/SE2007/001171
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 22.12.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : QUNANO AB [SE/SE]; Ideon Science Park, S-223 70 Lund (SE) (Tous Sauf US).
SVENSSON, Patrik [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
OHLSSON, Jonas [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
SAMUELSON, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
LÖWGREN, Truls [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
MARTYNOV, Yourii [NL/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : SVENSSON, Patrik; (SE).
OHLSSON, Jonas; (SE).
SAMUELSON, Lars; (SE).
LÖWGREN, Truls; (SE).
MARTYNOV, Yourii; (SE)
Mandataire : BRANN AB; Box 17192, S-104 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0602840-1 22.12.2006 SE
0700102-7 12.01.2007 SE
11/812,226 15.06.2007 US
0702404-5 26.10.2007 SE
Titre (EN) NANOELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING SUCH
(FR) STRUCTURE NANOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a semiconductor device comprising a semiconductor nanoelement (100) and a volume element (105) arranged in epitaxial connection to each other. The semiconductor device is electrically connectable with the volume element (105) and the nanoelement (100) electrically connected in series. The volume element (105) is at least partly doped to provide a high charge carrier concentration into the nanoelement (100) and a low access resistance in an electrical connection to the volume element (105). Preferably the nanoelement (100) protrudes from a semiconductor substrate (110). A concentric layer (106) may be arranged on the volume element (105) to form an electrical contact. LED structures comprising nanoelement-volume element structures (100, 105) are disclosed. A method for producing a semiconductor device according to the invention is also presented.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant un élément nanométrique à semi-conducteurs (100) et un élément de volume (105) agencés en connexion épitaxiale l'un à l'autre. Le dispositif à semi-conducteurs est électriquement raccordable à l'élément de volume (105) et l'élément nanométrique (100) est connecté électriquement en série. L'élément de volume (105) est au moins partiellement dopé afin de produire une concentration de porteurs de charge élevée dans l'élément nanométrique (100) et une faible résistance d'accès dans la connexion électrique avec l'élément de volume (105). De préférence l'élément nanométrique (100) s'avance à partir d'un substrat à semi-conducteurs (110). Une couche concentrique (106) peut être agencée sur l'élément de volume (105) pour former un contact électrique. Des structures de DEL comprenant des structures d'élément de volume/éléments nanométriques (100, 105) sont décrites. Un procédé pour produire un dispositif à semi-conducteurs selon l'invention est également présenté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)