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1. (WO2008078893) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078893    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/006582
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 17.12.2007
CIB :
H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD [KR/KR]; 33Fl., LG Twin Tower West, 20, Yeouido-dong, Yeongdeungpo-gu, Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Sang Youl [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Sang Youl; (KR)
Mandataire : HAW, Yong Noke; 6th FL. Hyun Juk Bldg., 832-41, Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0133528 26.12.2006 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first reflective electrode on the first semiconductor layer to reflect incident light, and a second reflective electrode on the second semiconductor layer to reflect the incident light.
(FR)Dispositif électroluminescent à semi-conducteur qui comprend une première couche de semi-conducteur, une seconde couche de semi-conducteur, une couche active formée entre la première couche de semi-conducteur et la seconde couche de semi-conducteur, une première électrode réfléchissante située sur la première couche de semi-conducteur pour réfléchir la lumière incidente et une seconde électrode réfléchissante située sur la seconde couche de semi-conducteur pour réfléchir la lumière incidente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)