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1. (WO2008078864) PROCÉDÉ DE FABRICATION DES CAPTEURS D'HYDROGÈNE UTILISANT UN NANOFIL EN PD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078864    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/003194
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 02.07.2007
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University [KR/KR]; Yonsei University, 134 Sinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Woo Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Eun Song Yi [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEON, Kye Jin [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : LEE, Woo Young; (KR).
LEE, Eun Song Yi; (KR).
JEON, Kye Jin; (KR)
Mandataire : KIM, Seung Wook; 5-623, Hyochang-dong, Yongsan-gu, Seoul 140-896 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0135209 27.12.2006 KR
Titre (EN) A METHOD FOR MANUFACTURING HYDROGEN SENSORS BY USING PD NANO WIRE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DES CAPTEURS D'HYDROGÈNE UTILISANT UN NANOFIL EN PD
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a hydrogen sensor using Pd nano-wires. The method includes steps of forming an external electrode pattern on a substrate applying a first resin layer to the substrate and forming a resin layer nano-channel pattern; depositing Pd on the substrate having the nano-channel pattern, by sputtering, and removing the first resin layer toform Pd nano-wires; applying a second resin layer to the substrate having the Pd nano-wires, and forming a resin layer pattern on the external electrode pattern, at opposing ends of the Pd nano-wires, and at predetermined positions between the external electrode pattern and the opposing ends of the Pd nano-wires; and depositing conductive metal on the resin layer pattern and removing the resin layer pattern, thereby electrically connecting the external electrode pattern to the Pd nano-wires.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'hydrogène utilisant des nanofils en palladium. Le procédé comprend des étapes consistant à former un motif d'électrode externe sur un substrat en appliquant une première couche de résine sur le substrat et en formant un motif de nano-canal de couche de résine ; déposer le palladium sur le substrat ayant le motif de nano-canal, en pulvérisant, et en retirant la première couche de résine pour former des nanofils en palladium ; appliquer une seconde couche de résine sur le substrat ayant les nano-fils de palladium, et former un motif de couche de résine sur le motif d'électrode externe, au niveau des extrémités opposées des nanofils en palladium, et aux positions prédéterminées entre le motif d'électrode externe et les extrémités opposées des nanofils en palladium ; et déposer le métal conducteur sur le motif de couche de résine et retirer le motif de couche de résine, connectant électriquement de ce fait le motif d'électrode externe aux nanofils en palladium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)