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1. (WO2008078852) SOLUTION DE PRÉCURSEUR DE SYNTHÈSE DESTINÉE À FORMER UNE COUCHE TAMPON À TEXTURE BIAXIALE PAR RECUIT À BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078852    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/000231
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 12.01.2007
CIB :
H01B 12/00 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 171, Jang-dong, Yusung-gu, Daejeon 305-343 (KR) (Tous Sauf US).
YOO, Jai-Moo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Young-Kuk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KO, Jae-Woong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHUNG, Kook-Chae [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOO, Jai-Moo; (KR).
KIM, Young-Kuk; (KR).
KO, Jae-Woong; (KR).
CHUNG, Kook-Chae; (KR)
Mandataire : HONG, Sung-Chul; Rm. 703, Newseoul Bldg., 828-8, Yeoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0132499 22.12.2006 KR
Titre (EN) SYNTHESIZING PRECURSOR SOLUTION ENABLING FABRICATING BIAXIALLY TEXTURED BUFFER LAYERS BY LOW TEMPERATURE ANNEALING
(FR) SOLUTION DE PRÉCURSEUR DE SYNTHÈSE DESTINÉE À FORMER UNE COUCHE TAMPON À TEXTURE BIAXIALE PAR RECUIT À BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a precursor solution for forming a biaxially oriented buffer layer through low-temperature heat treatment, by which a highly oriented buffer layer can be formed even when the precursor solution is heat-treated at a low temperature of 1000 °C or lower at the time of forming a buffer layer through a wet chemical method. The precursor solution is prepared by adding a carboxylate or an alkoxide of bismuth, boron, lead, gallium, or the like, which is a metal salt for forming an oxide having a low melting point of 1200 °C or lower after pyrolysis in an oxygen atmosphere, to a precursor solution for forming a buffer layer through a wet chemical method.
(FR)L'invention porte sur une solution de précurseur destinée à former une couche tampon à orientation biaxiale par un traitement thermique à basse température, la formation d'une telle couche fortement orientée pouvant se faire même si la solution de précurseur,même si la solution de précurseur subit un traitement thermique à une température relativement basse de 1000°C ou moins, alors que se forme la couche tampon par voie chimique humide. La solution de précurseur qui permettra la formation de la couche tampon par voie chimique humide se prépare en ajoutant à une solution de précurseur un carboxylate ou un alkoxyde de bismuth, de bore, de plomb, de gallium, ou d'analogue, c.à.d. un sel métallique formant un oxyde à point de fusion de1200°C ou moins, après pyrolyse dans une atmosphère d'oxygène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)