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1. (WO2008078706) POUDRE DE SILICE AMORPHE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078706    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074727
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
C01B 33/18 (2006.01), C01B 33/12 (2006.01), C08K 3/36 (2006.01), C08L 101/00 (2006.01)
Déposants : DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338 (JP) (Tous Sauf US).
INISHI, Yasuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEZAKI, Tohru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INISHI, Yasuhisa; (JP).
UMEZAKI, Tohru; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-346638 22.12.2006 JP
Titre (EN) AMORPHOUS SILICA POWDER, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL
(FR) POUDRE DE SILICE AMORPHE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 非晶質シリカ質粉末、その製造方法及び半導体封止材
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an amorphous silica powder having improved HTSL property and HTOL property and therefore suitable as a semiconductor sealing material. Also disclosed is a method for producing the amorphous silica powder. Specifically disclosed is an amorphous silica powder which contains Al in an amount of 0.03 to 20 mass% in terms of Al2O3 content as measured by atomic absorption spectrometry, which has an average particle diameter of 50 &mgr;m or less, and which, when the particles of the amorphous silica powder are divided into two fractions respectively having a larger particle diameter than the average particle diameter and a smaller particle diameter than the average particle diameter, a fraction having a smaller particle diameter has a higher Al content (in terms of Al2O3 content) than a fraction having a larger particle diameter.
(FR)L'invention concerne une poudre de silice amorphe qui a une propriété HTSL améliorée et une propriété HTOL améliorée et, par conséquent, qui est appropriée en tant que matériau d'étanchéité semi-conducteur. L'invention concerne également un procédé de fabrication de la poudre de silice amorphe. L'invention concerne spécifiquement une poudre de silice amorphe qui contient Al dans une quantité de 0,03 à 20 % en masse en termes de teneur en Al2O3 telle que mesurée par spectrométrie d'absorption atomique, qui a un diamètre moyen de particule de 50 µm ou moins, et qui, lorsque les particules de la poudre de silice amorphe sont divisées en deux fractions ayant respectivement un diamètre de particule supérieur au diamètre moyen de particule et un diamètre de particule inférieur au diamètre moyen de particule, une fraction ayant un diamètre de particule inférieur a une teneur en Al supérieure (en termes de teneur en Al2O3) à une fraction ayant un diamètre de particule supérieur.
(JA) HTSL特性及びHTOL特性を向上させた半導体封止材用に好適な非晶質シリカ質粉末、その製造方法を提供する。  原子吸光光度法で測定されたAl量をAl換算で0.03~20質量%含有する非晶質シリカ質粉末であって、平均粒子径が50μm以下であり、かつ、該非晶質シリカ質粉末を平均粒子径で二つの粉末に分けたときに、平均粒子径より大きな粒子径を有する粉末側よりも、平均粒子径より小さな粒子径を有する粉末側の方が、Al換算含有率が大きいことを特徴とする非晶質シリカ質粉末。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)