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1. (WO2008078677) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM ANTI-RÉFLEXION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MODÈLE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078677    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074644
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01)
Déposants : AZ Electronic Materials (Japan) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome, Bunkyo-ku Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, HR, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ Electronic Materials USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
KURAMOTO, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKIYAMA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KURAMOTO, Katsutoshi; (JP).
KOBAYASHI, Masakazu; (JP).
AKIYAMA, Yasushi; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-352857 27.12.2006 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMATION OF ANTIREFLECTION FILM AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM ANTI-RÉFLEXION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MODÈLE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a composition for forming an upper-layer antireflection film which is suitable for the pattern formation by an ArF excimer laser and has a low refraction index. Also disclosed is a pattern formation method utilizing the composition. The composition for forming the upper-layer antireflection film comprises a specific naphthalene compound, a polymer and a solvent. The composition can be used for forming an upper-layer antireflection film for a photoresist film on which a pattern is to be formed with a light having a wavelength of 160 to 260 nm.
(FR)L'invention concerne une composition servant à former un film de surcouche anti-réflexion qui est approprié pour la formation de modèle à l'aide d'un laser excimère ArF et qui a un faible indice de réfraction. L'invention concerne également un procédé de formation de modèle utilisant la composition. La composition servant à former le film de surcouche anti-réflexion comprend un composé de naphtaline spécifique, un polymère et un solvant. La composition peut être utilisée pour former un film de surcouche anti-réflexion destiné à un film photorésistant sur lequel un modèle est destiné à être formé avec une lumière ayant une longueur d'onde de 160 à 260 nm.
(JA) 本発明は、ArFエキシマーレーザーによるパターン形成に適した、低屈折率の上面反射防止膜を形成するための組成物、およびその組成物を利用したパターン形成方法を提供するものである。その上面反射防止膜を形成するための組成物は、特定のナフタレン化合物、ポリマー、および溶媒を含んでなる。この組成物は160~260nmの光によりパターンを形成するためのフォトレジスト膜の上面反射防止膜を形成するのに用いられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)