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1. (WO2008078649) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/078649 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/074543
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : UEKI, Makoto[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAMOTO, Hironori[JP/JP]; JP (UsOnly)
HAYASHI, Yoshihiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
ITO, Fuminori[JP/JP]; JP (UsOnly)
FUKUMOTO, Yoshiyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : UEKI, Makoto; JP
YAMAMOTO, Hironori; JP
HAYASHI, Yoshihiro; JP
ITO, Fuminori; JP
FUKUMOTO, Yoshiyuki; JP
Mandataire : TAKAHASHI, Isamu; 7th Floor, Shinoda Bldg., 10-7, Higashi Kanda 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010031, JP
Données relatives à la priorité :
2006-34543322.12.2006JP
2007-18648218.07.2007JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention aims to suppress deterioration in reliability of wiring and to reduce effective dielectric constant of wiring. Specifically disclosed is a semiconductor device wherein a copper-containing wiring is covered with a barrier insulating film, and the barrier insulating film contains an organic silica component containing an unsaturated hydrocarbon and an amorphous carbon. Namely, the copper-containing wiring is covered with the barrier insulating film having an organic silica structure containing an unsaturated hydrocarbon and an amorphous carbon. Consequently, inter-wire capacitance is reduced without deteriorating reliability of the copper-containing wiring, thereby realizing a high-speed LSI with low power consumption.
(FR) La présente invention vise à supprimer une détérioration de la fiabilité d'un câblage et à réduire une constante diélectrique efficace de câblage. L'invention concerne spécifiquement un dispositif semi-conducteur dans lequel un câblage contenant du cuivre est recouvert par un film isolant de barrière, et le film isolant de barrière contient un composant de silice organique contenant un hydrocarbure insaturé et un carbone amorphe. Spécifiquement, le câblage contenant du cuivre est recouvert du film isolant de barrière ayant une structure de silice organique contenant un hydrocarbure insaturé et un carbone amorphe. Par conséquent, la capacité entre les fils est réduite sans détériorer la fiabilité du câblage contenant du cuivre, réalisant ainsi un LSI à vitesse élevée avec une consommation de puissance faible.
(JA) 【課題】 配線の信頼性劣化を抑制し、配線の実効誘電率を低減する。 【解決手段】 半導体装置の銅含有配線がバリア絶縁膜で被覆されており、前記バリア絶縁膜が、不飽和炭化水素とアモルファスカーボンとを含む有機シリカの成分を含有するものである。前記銅含有配線を、不飽和炭化水素とアモルファスカーボンを含む有機シリカ構造のバリア絶縁膜で被覆する。したがって、本発明によれば、銅含有配線の信頼性を劣化させることなく、配線間容量を低減でき、そのため、高速、低消費電力なLSIを実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)