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1. (WO2008078573) RÉSONATEUR D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE, FILTRE D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE UTILISANT LE RÉSONATEUR D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE, ET DUPLEXEUR D'ANTENNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/078573 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/074084
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 14.12.2007
CIB :
H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : NAKAMURA, Hiroyuki; null (UsOnly)
NAKANISHI, Hidekazu; null (UsOnly)
IWASAKI, Yukio; null (UsOnly)
MATSUNAMI, Ken; null (UsOnly)
TSURUNARI, Tetsuya; null (UsOnly)
PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NAKAMURA, Hiroyuki; null
NAKANISHI, Hidekazu; null
IWASAKI, Yukio; null
MATSUNAMI, Ken; null
TSURUNARI, Tetsuya; null
Mandataire : IWAHASHI, Fumio; c/o Panasonic Corporation 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Données relatives à la priorité :
2006-35124727.12.2006JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER USING THE SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, AND ANTENNA DUPLEXER
(FR) RÉSONATEUR D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE, FILTRE D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE UTILISANT LE RÉSONATEUR D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE, ET DUPLEXEUR D'ANTENNE
(JA) 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a surface acoustic wave resonator having improved surface acoustic wave leakage in the horizontal direction, a small spurious wave and excellent characteristics. In a surface acoustic wave filter, an interdigital electrode and a reflector electrode are formed on a piezoelectric substrate, and a SiO2 thin film is formed thereon. The interdigital electrode includes a bus bar electrode region, dummy electrode region and an intersecting region. Furthermore, an upper portion of the bus bar electrode of the interdigital electrode is in a state where the SiO2 thin film is removed.
(FR) L'invention concerne un résonateur d'onde acoustique de surface ayant une meilleure fuite d'onde acoustique de surface dans le sens horizontal, une petite onde parasite et d'excellentes caractéristiques. Dans un filtre d'onde acoustique de surface, une électrode interdigitée et une électrode de réflexion sont formées sur un substrat piézoélectrique et un film fin de SiO2 est formé sur celui-ci. L'électrode interdigitée comporte une région d'électrode de barre d'omnibus, une quasi-région d'électrode et une région d'intersection. De plus, une partie supérieure de l'électrode de barre d'omnibus de l'électrode interdigitée se trouve dans un état où le film fin de SiO2 est enlevé.
(JA)  本発明は、弾性表面波の横方向の漏れを改善し、スプリアスが小さく、特性に優れた弾性表面波共振器を提供する。本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板上に櫛型電極と反射器電極が形成され、その上に、SiO薄膜が形成される。櫛型電極は、バスバー電極領域とダミー電極領域、交差領域とを含む構成であり、さらに、櫛型電極のバスバー電極領域の上部はSiO薄膜が取り除かれた状態となっている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)