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1. (WO2008078516) APPAREIL DE FABRICATION D'UN FILM FIN D'OXYDE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DU FILM FIN D'OXYDE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/073400
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 04.12.2007
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KOZASA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMATA, Toshihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOZASA, Kenji; (JP).
KAMATA, Toshihide; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-346861 25.12.2006 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THE SILICON OXIDE THIN FILM
(FR) APPAREIL DE FABRICATION D'UN FILM FIN D'OXYDE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DU FILM FIN D'OXYDE DE SILICIUM
(JA) 酸化シリコン薄膜の製造装置及び形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor thin film element, which has high insulating characteristics equivalent to those of elements currently used as electronic devices and uses a silicon oxide thin film, is provided by performing a low-temperature printing process at a heatproof temperature of a substrate or below to a flexible plastic substrate and the like. A method for forming such semiconductor thin film element is also provided. A coat film composed of a silicon compound having a silazane structure or a siloxane structure is formed on the flexible plastic substrate, the coat film is converted into a silicon oxide thin film, and the semiconductor thin film element is formed by having the thin film as a part of an insulating layer or a sealing layer.
(FR)L'invention concerne un élément de film fin semi-conducteur, qui a des caractéristiques de haut isolement équivalentes à celles d'éléments couramment utilisés en tant que dispositifs électroniques et qui utilise un film fin d'oxyde de silicium, qui est fourni en réalisant un processus d'impression à basse température à une température à l'épreuve de la chaleur d'un substrat ou en dessous d'un substrat plastique flexible et similaire. L'invention concerne également un procédé de formation d'un tel élément de film fin semi-conducteur. Un film de revêtement composé d'un composé de silicium ayant une structure de silazane ou une structure de siloxane est formé sur le substrat plastique flexible, le film de revêtement est transformé en film fin d'oxyde de silicium, et l'élément de film fin semi-conducteur est formé en utilisant le film fin en tant que couche d'isolation ou couche étanche.
(JA) 本願発明の課題は、可塑性を有するプラスチック基板等に対して、基板の耐熱温度以下における低温印刷プロセスにより、現在電子デバイスとして使用されているものと同等の高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜を用いる半導体薄膜素子及びその形成方法を提供することである。可塑性を有するプラスチック基板上にシラザン構造又はシロキサン構造を含むケイ素化合物の塗布膜を形成し、該塗布膜を酸化シリコン薄膜に転化し、該薄膜を絶縁層又は封止層の一部とすることにより半導体薄膜素子を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)