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1. (WO2008078502) APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078502    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/073072
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 29.11.2007
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
MORISAKI, Eisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Hirokatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARASHIMA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORISAKI, Eisuke; (JP).
KOBAYASHI, Hirokatsu; (JP).
HARASHIMA, Masayuki; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-Chome, Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-348458 25.12.2006 JP
Titre (EN) FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT DE FILM ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM
(JA) 成膜装置および成膜方法
Abrégé : front page image
(EN)A film deposition apparatus which comprises: a treatment vessel inside which a vacuum space is maintained and to which a film-depositing gas is supplied; a substrate-holding part which is disposed inside the treatment vessel and holds a substrate; and a heater which is constituted of a compound comprising a high-melting metal and carbon, is disposed inside the treatment vessel, and heats the substrate.
(FR)Cette invention concerne un appareil de dépôt de film comprenant une cuve de traitement à l'intérieur de laquelle est ménagé un espace sous vide dans lequel est introduit un gaz filmogène; un élément support de substrat qui est installé à l'intérieur de la cuve de traitement et qui maintient un substrat; et un dispositif de chauffage qui est constitué d'un composé comprenant un métal à point de fusion élevé et du carbone, lequel dispositif est installé à l'intérieur de la cuve de traitement et chauffe le substrat.
(JA) 開示される成膜装置は、内部に減圧空間が維持され、成膜ガスが供給される処理容器と、処理容器の内部に設置され、基板を保持する基板保持部と、高融点金属と炭素を含む化合物により構成され、処理容器の内部に設置され、基板を加熱するヒータと、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)