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1. (WO2008078486) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/072712
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 26.11.2007
CIB :
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Kazuyoshi; (JP).
HONDA, Katsunori; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26 Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-347245 25.12.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a transparent conductive film composed of an oxide containing indium and zinc by sputtering. This method is characterized in that sputtering is performed while maintaining the parallel magnetic field strength of the surface of a target, which is mainly composed of indium oxide and zinc oxide, to less than 400 Oe (Oersted). This method for producing a transparent conductive film is applicable to formation of an amorphous transparent conductive film for liquid crystal displays or organic EL displays.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film conducteur transparent composé d'un oxyde contenant de l'indium et du zinc par pulvérisation cathodique. Ce procédé est caractérisé par le fait qu'une pulvérisation cathodique est effectuée tout en maintenant l'intensité de champ magnétique parallèle de la surface d'une cible principalement composée d'oxyde d'indium et d'oxyde de zinc, à moins de 400 Oe (Oersted). Ce procédé de fabrication d'un film conducteur transparent est applicable à la formation d'un film conducteur transparent amorphe pour des dispositifs d'affichage à cristaux liquides ou des dispositifs d'affichage électroluminescents (EL) organiques.
(JA) スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を400Οe(エルステッド)未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 本発明の透明導電膜の製造方法は、液晶表示装置や有機EL 表示装置用の非晶質透明導電膜の形成に利用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)