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1. (WO2008078471) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078471    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/072208
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 15.11.2007
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
NASUNO, Yoshiyuki; (US Seulement)
Inventeurs : NASUNO, Yoshiyuki;
Mandataire : NOGAWA, Shintaro; Nogawa Patent Office Minamimorimachi Park Bldg. 1-3, Nishitenma 5-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-347896 25.12.2006 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 光電変換装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric converter which is improved in photoelectric conversion efficiency. The photoelectric converter is characterized by having at least one pin type photoelectric converting section constituted by laminating a first conductivity type layer, a first i-type layer, a second i-type layer and a second conductivity type layer. The photoelectric converter is also characterized in that the crystallization rate of the first i-type layer is lower than that of the second i-type layer, and the variation rate of crystallization rate at the interface of the i-type layer and the second i-type lay in the film thickness direction is 0.013-0.24 nm-1.
(FR)Convertisseur photoélectrique dont l'efficacité de conversion photoélectrique est améliorée. Le convertisseur photoélectrique est caractérisé en ayant au moins une section de conversion photoélectrique de type tige formée en laminant une couche d'un premier type de conductivité, une première couche de type i, une deuxième couche de type i et une couche d'un second type de conductivité. Le convertisseur photoélectrique est également caractérisé en ce que le taux de cristallisation de la première couche de type i est inférieur à celui de la deuxième couche de type i, et le taux de variation de cristallisation sur l'interface de la première couche de type i et de la deuxième couche de type i dans le sens d'épaisseur du film est de 0,013 à 0,24 nm-1.
(JA) 光電変換効率の向上を図ることができる光電変換装置を提供する。  本発明の光電変換装置は、第1導電型層、第1のi型層、第2のi型層及び第2導電型層を積層して構成されるpin型の光電変換部を少なくとも1つ有し、第1のi型層の結晶化率は、第2のi型層の結晶化率よりも低く、第1のi型層と第2のi型層の界面における膜厚方向の結晶化率変化率が0.013~0.24nm-1であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)