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1. (WO2008078401) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE AUTONOME ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE AUTONOME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078401    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/001351
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 05.12.2007
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/01 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAMIZAWA, Shoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Masataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAMIZAWA, Shoichi; (JP).
WATANABE, Masataka; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-349756 26.12.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SELF-SUPPORTING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SELF-SUPPORTING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE AUTONOME ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE AUTONOME
(JA) 窒化物半導体自立基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a self-supporting nitride semiconductor substrate wherein two self-supporting nitride semiconductor substrates are produced from a single seed substrate. This method comprises at least a step for preparing a self-supporting nitride semiconductor substrate serving as a seed substrate, a step for epitaxially growing the same nitride semiconductor as the seed substrate, and a step for slicing the epitaxially grown substrate into two pieces along a plane parallel to the epitaxial growth surface. Also disclosed is a self-supporting nitride semiconductor substrate produced by such a method. This method enables to produce a large-diameter self-supporting nitride semiconductor substrate having excellent crystal quality and small warp with good productivity at low cost.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire un substrat semi-conducteur de nitrure autonome, deux substrats semi-conducteurs de nitrure autonomes étant produits à partir d'un substrat ensemencé simple. Ce procédé comprend au moins une étape permettant de préparer un substrat semi-conducteur de nitrure autonome en tant que substrat de germes, une étape pour la croissance épitaxiale du même semi-conducteur de nitrure en tant que substrat ensemencé et une étape permettant de trancher en deux morceaux le substrat ayant subi une croissance épitaxiale le long d'un plan parallèle à la surface de croissance épitaxiale. Un substrat semi-conducteur de nitrure autonome produit par ce type de procédé est également décrit. Ce procédé permet de produire un substrat semi-conducteur de nitrure autonome de grand diamètre présentant une excellente qualité de cristaux et une faible déformation ainsi qu'une bonne productivité à faible coût.
(JA) 本発明は、少なくとも、種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板上に、該種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして2分割するスライス工程とを含み、1枚の種基板から2枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法及びこの製造方法によって製造された窒化物半導体自立基板である。これにより、結晶品質に優れ、ワープの小さな大口径の窒化物半導体自立基板を、生産性よく低コストで製造する方法等が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)