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1. (WO2008078300) DISPOSITIFS ÉLECTRO-LUMINESECENTS À NITRURE DE GROUPE III SUR DES GABARITS DESTINÉS À RÉDUIRE LES CONTRAINTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078300    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/055265
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
GRILLOT, Patrick N. [US/US]; (US) (US Seulement).
GARDNER, Nathan F. [US/US]; (US) (US Seulement).
GOETZ, Werner K. [DE/US]; (US) (US Seulement).
ROMANO, Linda T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GRILLOT, Patrick N.; (US).
GARDNER, Nathan F.; (US).
GOETZ, Werner K.; (US).
ROMANO, Linda T.; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; Philips Intellectual Property & Standards, High Tech Campus 44, P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
11/615,826 22.12.2006 US
Titre (EN) III-NITRIDE LIGHT EMITTING DIODES GROWN ON TEMPLATES TO REDUCE STRAIN
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTRO-LUMINESECENTS À NITRURE DE GROUPE III SUR DES GABARITS DESTINÉS À RÉDUIRE LES CONTRAINTES
Abrégé : front page image
(EN)In a Ill-nitride light emitting device, the device layers (10) including the light emitting layer are grown over a template designed to reduce strain in the device, in particular in the light emitting layer. The template comprises: a first layer (22) grown directly on the substrate (20), the first layer being substantially free of indium; a first substantially single crystal layer (24) grown over the first layer, a second layer (26) grown over the first substantially single crystal layer, wherein the second layer is a non-single crystal layer comprising indium. The device layers are grown over the template, the device layers comprising a Ill- nitride light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. Reducing the strain in the light emitting device may improve the performance of the device. The template may expand the lattice constant in the light emitting layer over the range of lattice constants available from conventional growth templates. Strain is defined as follows: a given layer has a bulk lattice constant abU|k corresponding to a lattice constant of a free standing material of a same composition as that layer and an in-plane lattice constant aln.pιanβ corresponding to a lattice constant of that layer as grown in the structure. The amount of strain in a layer is | (ajn_p|ane - abu)k) |/ abU|fc In some embodiments, the strain in the light emitting layer is less than 1%.
(FR)Dans un dispositif électro-luminescent à nitrure de groupe III, la croissance des couches de dispositif (10) incluant la couche électro-luminescente se fait sur un gabarit conçu pour réduire les contraintes dans le dispositif, en particulier dans la couche électro-luminescente. La réduction desdites contraintes peut permettre d'améliorer les caractéristiques de marche du dispositif. Le gabarit peut permettre d'élargir la constante de réseau dans la couche électro-luminescente dans la plage des constantes de réseau disponibles pour des gabarits de croissance classiques. Une contrainte se définit comme suit: une couche donnée à une constante de réseau abulk correspondant à la constante de réseau d'un matériau à l'état libre de même composition que cette couche et une constante de réseau dans le plan a in- plane correspondant à la constante de réseau de cette couche après croissance dans la structure. L'importance de la contrainte dans une couche est | (ain-plane - abulk) I / abulk. Dans certains modes de réalisation, la contrainte dans la couche électro-luminescente est inférieure à 1 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)