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1. (WO2008078298) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DE NITRURE III AVEC COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À DÉFORMATION RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078298    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/055263
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
YI, Sungsoo [US/US]; (US) (US Seulement).
DAVID, Aurelien J. F. [FR/US]; (US) (US Seulement).
GARDNER, Nathan F. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRAMES, Michael R. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROMANO, Linda T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YI, Sungsoo; (US).
DAVID, Aurelien J. F.; (US).
GARDNER, Nathan F.; (US).
KRAMES, Michael R.; (US).
ROMANO, Linda T.; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; Philips Intellectual Property & Standards, High Tech Campus 44, P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
11/615,479 22.12.2006 US
Titre (EN) III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE WITH REDUCED STRAIN LIGHT EMITTING LAYER
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DE NITRURE III AVEC COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À DÉFORMATION RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with embodiments of the invention, strain is reduced in the light emitting layer of a Ill-nitride device by including a strain-relieved layer in the device. The surface on which the strain-relieved layer is grown is configured such that strain-relieved layer can expand laterally and at least partially relax. In some embodiments of the invention, the strain-relieved layer is grown over a textured semiconductor layer or a mask layer. In some embodiments of the invention, the strain-relieved layer is group of posts of semiconductor material.
(FR)Selon les modes de réalisation de l'invention, une déformation est réduite dans la couche électroluminescente d'un dispositif de nitrure III par inclusion d'une couche de réduction de contrainte dans le dispositif. La surface sur laquelle la couche de réduction de contrainte est développée est configurée de telle sorte qu'une couche de réduction de contrainte peut s'étendre latéralement et se détendre au moins partiellement. Dans certains modes de réalisation de l'invention, la couche de réduction de contrainte est développée sur une couche semi-conductrice texturée ou une couche de masque. Dans certains modes de réalisation de l'invention, la couche de réduction de contrainte est un groupe de colonnes de matériau semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)