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1. (WO2008078297) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR CONFIGURÉ POUR ÉMETTRE DE MULTIPLES LONGUEURS D'ONDE DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078297    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/055262
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
KIM, James C. [US/US]; (US) (US Seulement).
YI, Sungsoo [KP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, James C.; (US).
YI, Sungsoo; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; Philips Intellectual Property & Standards, High Tech Campus 44, P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
11/615,601 22.12.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE CONFIGURED TO EMIT MULTIPLE WAVELENGTHS OF LIGHT
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR CONFIGURÉ POUR ÉMETTRE DE MULTIPLES LONGUEURS D'ONDE DE LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with embodiments of the invention, a Ill-nitride structure includes a plurality of posts of semiconductor material corresponding to openings in a mask layer (24). Each post includes a light emitting layer (28). Each light emitting layer is disposed between an n-type region (26) and a p-type region (30). A first light emitting layer (28) disposed in a first post is configured to emit light at a different wavelength than a second light emitting layer (28) disposed in a second post. In some embodiments, the wavelength emitted by each light emitting layer (28) is controlled by controlling the diameter of the posts, such that a device that emits white light without phosphor conversion may be formed.
(FR)Selon des modes de réalisation de l'invention, une structure de nitrure III comprend une pluralité de colonnes de matériau semi-conducteur correspondant à des ouvertures dans une couche de masque (24). Chaque colonne comprend une couche électroluminescente (28). Chaque couche électroluminescente est disposée entre une région du type n (26) et une région du type p (30). Une première couche électroluminescente (28) disposée dans une première colonne est configurée pour émettre de la lumière à une longueur d'onde différente d'une seconde couche électroluminescente (28) disposée dans une seconde colonne. Dans certains modes de réalisation, la longueur d'onde émise par chaque couche électroluminescente (28) est contrôlée par le contrôle du diamètre des colonnes, de telle sorte qu'un dispositif qui émet une lumière blanche sans conversion de luminophore peut être formé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)