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1. (WO2008078089) ACCROISSEMENT ET DECOUPLAGE DE RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078089    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/004932
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
H01Q 1/22 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), H01P 7/06 (2006.01)
Déposants : OMNI-ID LIMITED [GB/GB]; Registered Office, 85 Buckingham Gate, London SW1E 6PD (GB) (Tous Sauf US).
LAWRENCE, Christopher, Robert [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BROWN, James, Robert [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : LAWRENCE, Christopher, Robert; (GB).
BROWN, James, Robert; (GB)
Mandataire : CARTER, Stephen; Mewburn Ellis LLP, 33 Gutter Lane, London EC2V 8AS (GB)
Données relatives à la priorité :
0625718.2 22.12.2006 GB
Titre (EN) RADIATION ENHANCEMENT AND DECOUPLING
(FR) ACCROISSEMENT ET DECOUPLAGE DE RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A device adapted to enhance an incident electric filed comprises a resonant dielectric cavity formed between two conducting layers (102, 106a, 106b). The incident field is enhanced at the edge of the upper layer (106a, 106b), and this edge is suitably profiled to achieve a desired variation in enhancement along the edge. The edge is typically tapered to a point, but may include a tab or notch or other profiles.
(FR)L'invention concerne un dispositif conçu pour accroître un champ électrique incident. Ce dispositif comprend une cavité diélectrique résonnante formée entre deux couches conductrices (102, 106a, 106b). Le champ incident est accru le long du bord de la couche supérieure (10Sa, 106b), ce bord étant profilé de façon appropriée pour obtenir une variation souhaitée d'accroissement le long du bord. Ce bord est généralement effilé jusqu'à un certain point, mais il peut également comprendre une languette, une encoche ou d'autres profils.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)