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1. (WO2008078043) PROCEDE ET INSTALLATION DE FABRICATION DE BLOCS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/078043    N° de la demande internationale :    PCT/FR2007/052490
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 12.12.2007
CIB :
B01J 6/00 (2006.01), C01B 33/037 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01)
Déposants : EFD INDUCTION SA [FR/FR]; 20, Avenue de Grenoble, F-38170 Seyssinet Pariset (FR) (Tous Sauf US).
DEL GOBBO, Jean-Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
RIVAT, Pascal [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DEL GOBBO, Jean-Pierre; (FR).
RIVAT, Pascal; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion, F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
0655486 13.12.2006 FR
Titre (EN) METHOD AND EQUIPMENT FOR PRODUCING BLOCKS OF A SEMICONDUCTING MATERIAL
(FR) PROCEDE ET INSTALLATION DE FABRICATION DE BLOCS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an equipment (10) for producing blocks of a semiconducting material, comprising at least one housing (12) containing a neutral gas atmosphere, said housing including a fusion system (27, 32, 40) adapted for melting the semiconducting material in a crucible (24); a purification system (50) for removing the impurity of the molten semiconducting material in the crucible; a thermal transfer system (32) for cooling the base of the crucible and a heating system (40) for heating the free surface (63) of the molten semi-conducting material purified in the crucible in order to enhance the solidification of the semiconducting material; and a displacement system (18) for displacing the crucible (24) containing the molten and purified semiconducting material up to a heating system and/or a system for displacing the heating system up to the crucible containing the molten and purified semiconducting material.
(FR)L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une enceinte (12) contenant une atmosphère de gaz neutre, l'enceinte comprenant un système de fusion (27, 32, 40) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur dans un creuset (24); un système de purification (50) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu dans le creuset; un système de transfert thermique (32) adapté à refroidir la base du creuset et un système de chauffage (40) de la surface libre (63) du matériau semiconducteur fondu et purifié dans le creuset de façon à favoriser la solidification du matériau semiconducteur; et un système de déplacement (18) du creuset (24) contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié jusqu'au système de chauffage et/ou un système de déplacement du système de chauffage jusqu'au creuset contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)