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1. (WO2008077615) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE AVEC AU MOINS UN AGENCEMENT DE COUCHES ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/077615    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/011353
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : NOVALED AG [DE/DE]; Tatzberg 49, 01307 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
CANZLER, Tobias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZEIKA, Olaf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WELLMANN, Philipp [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : CANZLER, Tobias; (DE).
ZEIKA, Olaf; (DE).
WELLMANN, Philipp; (DE)
Mandataire : BITTNER, Thomas, L.; Boehmert & Boehmert, Hollerallee 32, 28209 Bremen (DE)
Données relatives à la priorité :
06026743.2 22.12.2006 EP
Titre (DE) ELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT MINDESTENS EINER ORGANISCHEN SCHICHTANORDNUNG
(EN) ELECTRONIC COMPONENT WITH AT LEAST ONE ORGANIC LAYER ARRANGEMENT
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE AVEC AU MOINS UN AGENCEMENT DE COUCHES ORGANIQUES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, insbesondere lichtemittierendes elektronisches Bauelement, mit einer Anode, einer Kathode und mindestens einer organischen Schichtanordnung, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet und in elektrischem Kontakt mit der Anode und der Kathode ist und die mindestens einen der folgenden Bereiche aufweist: einen beim Anlegen eines elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem np-Übergang, der mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ und einer n-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Anode in Kontakt ist, und einen beim Anlegen des elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode weitere elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem pn-Übergang, die mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ und einer p-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Kathode in Kontakt ist.
(EN)The invention relates to an electronic component, in particular a light-emitting electronic component, with an anode, a cathode, and at least one organic layer arrangement which is arranged between the anode and the cathode, and which is in electrical contact with the anode and the cathode, and which has at least one of the following regions: a region which on the application of an electrical potential to the anode and the cathode generates electrical charges with an np-junction which is formed with a layer made of an organic p-type semiconductor material and an n-doped layer made of an organic n-type semiconductor material which is in contact with a conducting layer of the anode, and a region which on the application of the electrical potential to the anode and the cathode generates additional electrical charges with a pn-junction which is formed with a layer made of an organic n-type semiconductor material and a p-doped layer made of an organic p-type semiconductor material which is in contact with a conducting layer of the cathode.
(FR)L'invention concerne un composant électronique, en particulier un composant électronique d'émission de lumière, avec une anode, une cathode et au moins un agencement de couches organiques, qui est disposé entre l'anode et la cathode et qui est en contact électrique avec l'anode et la cathode et qui présente au moins une des zones suivantes : une zone générant des charges électriques lors de l'application d'un potentiel électrique à l'anode et à la cathode avec une transition np, laquelle est formée par une couche de matériau semi-conducteur organique de type p et une couche de dotation n en un matériau semi-conducteur organique de type n, laquelle est en contact avec une couche conductrice de l'anode, et une zone de génération d'autres charges électriques lors de l'application du potentiel électrique à l'anode et à la cathode avec une transition pn, laquelle est formée par une couche en un matériau semi-conducteur organique de type n et une couche de dotation p en un matériau semi-conducteur organique de type p, laquelle est en contact avec une couche conductrice de la cathode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)