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1. (WO2008077284) NIVELLEMENT D'UTILISATION INITIAL POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/077284    N° de la demande internationale :    PCT/CN2006/003615
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 27.12.2006
CIB :
G11C 5/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
YOU, Guangqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : YOU, Guangqing; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre, 23 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INITIATIVE WEAR LEVELING FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) NIVELLEMENT D'UTILISATION INITIAL POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for initiative wear leveling for non-volatile memory. An embodiment of a method includes counting erase cycles for each of a set of multiple memory blocks of a non- volatile memory, the counting of erase cycles for each memory block including incrementing a first count for a physical block address of the memory block, and if the memory block is not a spare memory block, incrementing a second count for a logical block address of the memory block. The method also includes determining whether the non- volatile memory has uneven wear of memory blocks based at least in part on the counting of the erase cycles of the plurality of memory blocks.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de nivellement d'utilisation initial pour une mémoire non volatile. Un mode de réalisation d'un procédé consiste à compter des cycles d'effacement pour chaque bloc mémoire faisant partie d'un ensemble de blocs mémoire multiples d'une mémoire non volatile, le compte des cycles d'effacement pour chaque bloc mémoire consistant à incrémenter un premier compte pour une adresse de bloc physique du bloc mémoire, et si le bloc mémoire n'est pas un bloc mémoire de réserve, à incrémenter un deuxième compte pour une adresse de bloc logique du bloc mémoire. Ledit procédé consiste également à déterminer si la mémoire non volatile utilise de manière inégale les blocs mémoire en fonction en partie du compte des cycles d'effacement de la pluralité des blocs mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)