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1. (WO2008077240) ARCHITECTURE ANTIFUSIBLE PROGRAMMABLE PAR MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/077240    N° de la demande internationale :    PCT/CA2007/002287
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
G11C 17/14 (2006.01), G11C 7/12 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01)
Déposants : SIDENSE CORP. [CA/CA]; 84 Hines Road, Suite 260, Ottawa, Ontario K2K 3G3 (CA) (Tous Sauf US).
KURJANOWICZ, Wlodek [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : KURJANOWICZ, Wlodek; (CA)
Mandataire : HUNG, Shin; Borden Ladner Gervais LLP, World Exchange Plaza, 100 Queen Street, Suite 1100, Ottawa, Ontario K1P 1J9 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/871,519 22.12.2006 US
Titre (EN) MASK PROGRAMMABLE ANTI-FUSE ARCHITECTURE
(FR) ARCHITECTURE ANTIFUSIBLE PROGRAMMABLE PAR MASQUE
Abrégé : front page image
(EN)A memory array having both mask programmable and one-time programmable memory cells connected to the wordlines and the bitlines. All memory cells of the memory array are configured as one-time programmable memory cells. Any number of these one-time programmable memory cells are convertible into mask programmable memory cells through mask programming, such as diffusion mask programming or contact/via mask programming. Manufacturing of such a hybrid memory array is simplified because both types of memory cells are constructed of the same materials, therefore only one common set of manufacturing process steps is required. Inadvertent user programming of the mask programmable memory cells is inhibited by a programming lock circuit.
(FR)L'invention concerne un réseau de mémoires qui comprend à la fois des cellules de mémoire programmables une seule fois et des cellules de mémoire programmables par masque reliées à des lignes de mot et à des lignes de bit. Toutes les cellules de mémoire du réseau de mémoires sont configurées pour être programmables une seule fois. Un nombre quelconque de ces cellules de mémoire programmables une seule fois peuvent être converties en cellules de mémoire programmables par masque par programmation par masque, tel que la programmation par masque de diffusion ou par programmation par masque ou par contact. La fabrication d'un tel réseau de mémoires hybrides est simplifiée car les deux types de cellules de mémoire sont construites à partir des mêmes matériaux, par conséquent seul un ensemble commun d'étapes de traitement de fabrication est nécessaire. Une programmation utilisateur involontaire des cellules de mémoire programmables par masque est inhibée par un circuit de verrouillage de programmation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)