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1. (WO2008064083) SYSTÈME D'INJECTION DE TRICHLORURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/064083 N° de la demande internationale : PCT/US2007/084845
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 15.11.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 22.07.2008
CIB :
C22B 7/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
B
PRODUCTION OU AFFINAGE DES MÉTAUX; TRAITEMENT PRÉLIMINAIRE DES MATIÈRES PREMIÈRES
7
Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p.ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
Déposants :
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
ARENA, Chantal [US/US]; US (UsOnly)
WERKHOVEN, Christiaan [NL/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
ARENA, Chantal; US
WERKHOVEN, Christiaan; US
Mandataire :
FANUCCI, Allan, A. ; Winston & Strawn LLP Patent Department 1700 K Street, N.W. Washington, District of Columbia 20006-3817, US
Données relatives à la priorité :
60/866,92322.11.2006US
60/942,83208.06.2007US
Titre (EN) GALLIUM TRICHLORIDE INJECTION SCHEME
(FR) SYSTÈME D'INJECTION DE TRICHLORURE DE GALLIUM
Abrégé :
(EN) The present invention relates to semiconductor processing equipment and methods and provides, in particular, for the sustained, high volume production of Group 111-V compound semiconductor material suitable for fabπcation of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth In preferred embodiments, these methods are optimized for producing Group 111-N (nitrogen) compound semiconductor wafers and specifically for producing GaN wafers Specifically, the method includes reacting an amount of a gaseous Group 111 precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber under conditions sufficient to provide sustained high volume manufacture of the semiconductor mateπal on one or more substrates, with the gaseous Group 111 precursor continuously provided at a mass flow of 50 g Group 111 elementlhour for at least 48 hours A system for conducting the method is also provided.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs et des procédés de traitement de semi-conducteurs et, en particulier, des procédés et des dispositifs de production continue à haut rendement d'un matériau à semi-conducteurs composés du groupe III-V adapté pour la fabrication de composants optiques et électroniques, destinés à être utilisés comme substrats de dépôt épitaxial, de tranches, etc.. Dans des modes de réalisation préférés, ces procédés sont optimisés pour produire des tranches à semi-conducteurs composés du groupe III-N (azote) et, plus spécifiquement, pour produire des tranches GaN. Le procédé consiste, de manière plus spécifique, à mettre en réaction une quantité d'un précurseur gazeux du groupe III comme réactif avec une quantité d'un composé gazeux du groupe V comme autre réactif dans une chambre de réaction, dans des conditions suffisantes pour une fabrication continue à haut rendement du matériau à semi-conducteurs sur un ou plusieurs substrats. Le précurseur gazeux du groupe III est fourni de manière continue selon un débit massique de 50g par élément du groupe III/heure pendant au moins 48 heures. L'invention concerne également un système permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
SG150859KR1020090083472EP2084304JP2010510166US20090178611