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1. (WO2008063715) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX POUR DES COMPOSITIONS CONTENANT DU PLOMB UTILISANT UNE ALIMENTATION AUTOMATIQUE DISCONTINUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063715 N° de la demande internationale : PCT/US2007/073412
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 12.07.2007
CIB :
C30B 11/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
02
sans solvants
Déposants :
H. C. MATERIALS CORP. [US/US]; 479 Quadrangle Dr. Suite-E Bolingbrook, IL 60440, US (AllExceptUS)
HAN, Pengdi [US/US]; US (UsOnly)
TIAN, Jian [CN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
HAN, Pengdi; US
TIAN, Jian; US
Mandataire :
YOUNG, Andrew, F.; Lackenbach Siegel, LLP One Chase Road Scarsdale, NY 10583, US
Données relatives à la priorité :
60/830,13912.07.2006US
Titre (EN) CRYSTAL GROWTH SYSTEM AND METHOD FOR LEAD-CONTAINED COMPOSITIONS USING BATCH AUTO-FEEDING
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX POUR DES COMPOSITIONS CONTENANT DU PLOMB UTILISANT UNE ALIMENTATION AUTOMATIQUE DISCONTINUE
Abrégé :
(EN) This invention includes a system and a method for growing crystals including a batch auto-feeding mechanism. The proposed system and method provide a minimization of compositional segregation effect during crystal growth by controlling growth rate involving a high-temperature flow control system operable in an open and a closed loop crystal growth process. The ability to control the growth rate without corresponding loss of volatilize-able elements enables significantly improvement in compositional homogeneity and a consequent increase in crystal yield. This growth system and method can be operated in production scale, simultaneously for a plurality of growth crucibles to further the reduction of manufacturing costs, particularly for the crystal materials of binary or ternary systems with volatile components, such as Lead (Pb) and Indium (In).
(FR) La présente invention concerne un système et un procédé de croissance de cristaux comprenant un mécanisme d'alimentation automatique discontinue. Les système et procédé proposés fournissent une minimisation de l'effet de ségrégation compositionnelle pendant la croissance des cristaux en contrôlant la vitesse de croissance comprenant un système de contrôle du flux à température élevée actionnable dans un procédé de croissance des cristaux en boucle ouverte et fermée. La capacité à contrôler la vitesse de croissance sans perte correspondante d'éléments volatilisables permet une amélioration significative de l'homogénéité compositionnelle et une augmentation conséquente dans le rendement en cristaux. Ces système et procédé de croissance peuvent être utilisés à une échelle de production, simultanément pour une pluralité de creusets de croissance pour diminuer plus avant les coûts de fabrication, en particulier pour les matériaux cristallins de systèmes binaires ou ternaires avec des composants volatiles, tels que le plomb (Pb) et l'indium (In).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20090241829