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1. (WO2008063704) POINTS OU TRAITS QUANTIQUES NANOSTRUCTURÉS DANS DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES ET LEURS PROCÉDÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063704 N° de la demande internationale : PCT/US2007/068167
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 03.05.2007
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
Déposants :
ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 5 Lomb Memorial Drive Rochester, NY 14623-5603, US (AllExceptUS)
GLENN RESEARCH CENTER [US/US]; 21000 Brookpark Road Cleveland, OH 44135, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
RAFFAELLE, Ryne, P.; US
WILT, David, M.; US
Mandataire :
LEINBERG, Gunnar, G. ; Nixon Peabody LLP Clinton Square P.O.Box 31051 Rochester, NY 14603-1051, US
Données relatives à la priorité :
60/797,15103.05.2006US
Titre (EN) NANOSTRUCTURED QUANTUM DOTS OR DASHES IN PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS THEREOF
(FR) POINTS OU TRAITS QUANTIQUES NANOSTRUCTURÉS DANS DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES ET LEURS PROCÉDÉS
Abrégé :
(EN) A photovoltaic device includes one or more structures, an array of at least one of quantum dots and quantum dashes, at least one groove, and at least one conductor. Each of the structures comprises an intrinsic layer on one of an n type layer and a p type layer and the other one of the n type layer and the p type layer on the intrinsic layer. The array of at least one of quantum dots and quantum dashes is located in the intrinsic layer in at least one of the structures. The groove extends into at least one of the structures and the conductor is located along at least a portion of the groove.
(FR) L'invention concerne un dispositif photovoltaïque comportant une ou plusieurs structures ; un réseau constitué d'au moins des points quantiques et des traits quantiques ; au moins une rainure ; et au moins un conducteur. Chacune des structures comprend une couche intrinsèque sur une couche de type n ou une couche de type p, et l'autre couche de type n ou de type p sur la couche intrinsèque. Le réseau constitué d'au moins des points quantiques et des traits quantiques est positionné dans la couche intrinsèque dans au moins une des structures. La rainure s'étend dans au moins une des structures, et le conducteur est positionné le long d'au moins une partie de la rainure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)