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1. (WO2008063653) NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSITIONS ET DISPOSITIFS LES COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063653 N° de la demande internationale : PCT/US2007/024306
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 21.11.2007
CIB :
H01L 33/00 (2006.01) ,B82B 1/00 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
B
NANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1
Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
QD VISION, INC. [US/US]; 313 Pleasant Stret, 4th Floor Watertown, MA 02472, US (AllExceptUS)
RAMPRASAD, Dorai [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
RAMPRASAD, Dorai; US
Mandataire :
FINNEGAN, Martha, Ann; QD Vision, Inc. 313 Pleasant Street 4th Floor Watertown, MA 02472, US
Données relatives à la priorité :
60/866,83421.11.2006US
60/866,84321.11.2006US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND COMPOSITIONS AND DEVICES INCLUDING SAME
(FR) NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSITIONS ET DISPOSITIFS LES COMPRENANT
Abrégé :
(EN) A semiconductor nanocrystal capable of emitting light with an improved photoluminescence quantum efficiency. The present invention further relates to compositions and devices including semiconductor nanocrystals capable of emitting light with an improved photoluminescence quantum efficiency. A semiconductor nanocrystal wherein the semiconductor nanocrystal is capable of emitting light with a photoluminescence quantum efficiency greater than about 50% upon excitation and including a maximum peak emission with a FWHM less than 20 nm is disclosed. Also disclosed are a device, a population of semiconductor nanocrystals, and a composition including a semiconductor nanocrystal wherein the semiconductor nanocrystal is capable of emitting light with a photoluminescence quantum efficiency greater than about 50% upon excitation and including a maximum peak emission with a FWHM less than 20 nm. A semiconductor nanocrystal that is capable of emitting light upon excitation with a photoluminescence quantum efficiency greater than about 90%. Also disclosed are a device, a population, and a composition including a semiconductor nanocrystal.
(FR) Nanocristal semi-conducteur capable d'émettre de la lumière avec une efficacité quantique de photoluminescence accrue. Également, compositions et dispositifs comprenant ce type de produit. On décrit un tel produit à l'efficacité décrite supérieure à environ 50 % sous excitation, avec émission de crête maximum en pleine largeur à mi-hauteur (FWHM) inférieure à 20m, mais aussi un tel produit à l'efficacité décrite supérieure à environ 90 % sous excitation. Enfin, dispositif, population et composition comprenant un nanocristal semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)