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1. (WO2008063444) CRISTAUX COMPRENANT DU NITRURE DE GALLIUM, TRANCHES FORMÉES À PARTIR DE CEUX-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063444 N° de la demande internationale : PCT/US2007/023694
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 09.11.2007
CIB :
C30B 9/00 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
9
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40
Composés AIII BV
Déposants :
MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC. [US/US]; 187 Danbury Road Wilton, CT 06897, US (AllExceptUS)
D'EVELYN, Mark, P. [US/US]; US (UsOnly)
PARK, Dong-sil [KR/US]; US (UsOnly)
LEBOEUF, Steven, F. [US/US]; US (UsOnly)
ROWLAND, Larry, B. [US/US]; US (UsOnly)
NARANG, Kristi, J. [US/US]; US (UsOnly)
HUICONG, Hong [CN/US]; US (UsOnly)
ARTHUR, Stephen, D. [US/US]; US (UsOnly)
SANDVIK, Peter, M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
D'EVELYN, Mark, P.; US
PARK, Dong-sil; US
LEBOEUF, Steven, F.; US
ROWLAND, Larry, B.; US
NARANG, Kristi, J.; US
HUICONG, Hong; US
ARTHUR, Stephen, D.; US
SANDVIK, Peter, M.; US
Mandataire :
FALLON, Peter, J. ; Dilworth & Barrese, LLP 333 Earle Ovington Boulevard Uniondale, NY 11553, US
Données relatives à la priorité :
11/559,14613.11.2006US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE CRYSTALS AND WAFERS
(FR) CRISTAUX COMPRENANT DU NITRURE DE GALLIUM, TRANCHES FORMÉES À PARTIR DE CEUX-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé :
(EN) A crystal comprising gallium nitride is disclosed. The crystal has at least one grain having at least one dimension greater than 2.75 mm, a dislocation density less than about 104 cm-2, and is substantially free of tilt boundaries.
(FR) L'invention concerne un cristal comprenant du nitrure de gallium. Ce cristal comprend au moins un grain dont au moins une dimension est supérieure à 2,75 mm, et présente une densité des dislocations inférieure à environ 104 cm-2. En outre, il est sensiblement exempt de joints de flexion.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP2102391JP2010509178CN101583744