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1. (WO2008063357) PROCÉDÉS DE FORMATION DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP, PLURALITÉ DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ET CIRCUIT DRAM COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE CELLULES MÉMOIRES INDIVIDUELLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063357 N° de la demande internationale : PCT/US2007/022856
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 29.10.2007
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way (a corporation of the state of Delaware) Boise, ID 83716, US
Inventeurs :
GRISHAM, Paul; US
HALLER, Gordon, A.; US
TANG, Sanh, D.; US
Mandataire :
MATKIN, Mark, S. ; Wells St. John P.S. 601 West First Avenue, Suite 1300 Spokane, WA 99201-3828, US
Données relatives à la priorité :
11/601,47817.11.2006US
Titre (EN) METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, PLURALITIES OF FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND DRAM CIRCUITRY COMPRISING A PLURALITY OF INDIVIDUAL MEMORY CELLS
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP, PLURALITÉ DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ET CIRCUIT DRAM COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE CELLULES MÉMOIRES INDIVIDUELLES
Abrégé :
(EN) A method of forming a field effect transistor includes forming trench isolation material within a semiconductor substrate and on opposing sides of a semiconductor material channel region along a length of the channel region. The trench isolation material is formed to comprise opposing insulative projections extending toward one another partially under the channel region along the channel length and with semiconductor material being received over the projections. The trench isolation material is etched to expose opposing sides of the semiconductor material along the channel length. The exposed opposing sides of the semiconductor material are etched along the channel length to form a channel fin projecting upwardly relative to the projections. A gate is formed over a top and opposing sides of the fin along the channel length. Other methods and structures are disclosed.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor à effet de champ qui comprend la formation d'un matériau d'isolation de tranchée dans un substrat semi-conducteur et sur les côtés opposés d'une région de canal de matériau semi-conducteur le long d'une longueur de la région de canal. Le matériau d'isolation de tranchée est formé de manière à comprendre des projections isolantes opposées s'étendant l'une vers l'autre partiellement sous la région de canal le long de la longueur de canal et avec un matériau semi-conducteur étant reçu sur les projections. Le matériau d'isolation de tranchée est attaqué pour exposer les côtés opposés du matériau semi-conducteur le long de la longueur de canal. Les côtés opposés exposés du matériau semi-conducteur sont attaqués le long de la longueur de canal de façon à former une ailette de canal se projetant vers le haut par rapport aux projections. Une grille est formée sur les côtés supérieurs et opposés de l'ailette le long de la longueur de canal. L'invention concerne également d'autres procédés et d'autres structures.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090080984SG151930SG176485CN101536166