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1. (WO2008063216) ENSEMBLE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/063216 N° de la demande internationale : PCT/US2007/011187
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 08.05.2007
CIB :
H05B 33/00 (2006.01) ,F21V 21/00 (2006.01) ,F21V 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
V
CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
21
Soutien, suspension ou fixation des dispositifs d'éclairage; Poignées
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21
ÉCLAIRAGE
V
CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
9
Filtres de lumière; Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
Déposants :
INTEMATIX CORPORATION [US/US]; 46410 S. Fremont Blvd. Fremont, California 94538, US (AllExceptUS)
LI, Yi-Qun [US/US]; US (UsOnly)
DONG, Yi [CN/US]; US (UsOnly)
SHAN, Wei [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
LI, Yi-Qun; US
DONG, Yi; US
SHAN, Wei; US
Mandataire :
FLIESLER, Martin, C.; Fliesler Meyer LLP 650 California Street, Fourteenth Floor San Francisco, CA 94108, US
Données relatives à la priorité :
11/800,97707.05.2007US
60/858,21109.11.2006US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD OF FABRICATION
(FR) ENSEMBLE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An LED assembly including an array of LEDs and lens disposed adjacent light emitting surfaces of the LEDs. The area of a cross-section of the lens projected onto the light emitting surface of the LED is substantially equal to or less than the area of the LED's light emitting surface. At least one lens is associated with each LED and the area of a cross-section of each lens projected onto the light emitting surface of its associated LED is substantially equal to or less than the surface area thereof. A phosphor may be included to absorb at least a portion of the light emitted from the LED to emit light at a second wavelength which may be combined with the light from the LED. Lithography may be used to fabricate the lens array in the same process flow used to generate the LED.
(FR) L'invention concerne un ensemble DEL comprenant une matrice de DEL et une lentille disposée adjacente à des surfaces électroluminescentes des DEL. La surface d'une section transversale de la lentille projetée sur la surface électroluminescente de la DEL est sensiblement égale ou inférieure à la surface électroluminescente de la DEL. Au moins une lentille est associée à chaque DEL et la surface d'une section transversale de chaque lentille projetée sur la surface électroluminescente de sa DEL associée est sensiblement égale ou inférieure à sa superficie. Un phosphore peut être introduit pour absorber au moins une partie de la lumière émise par la DEL pour émettre de la lumière au niveau d'une deuxième longueur d'onde qui peut être combinée à la lumière émise par la DEL. La lithographie peut être utilisée pour fabriquer la matrice de la lentille selon le même flux de traitement utilisé pour générer la DEL.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090082469EP2098099JP2010509769CN101653039