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1. (WO2008062729) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/062729 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/072290
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 16.11.2007
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
原田 真 HARADA, Shin [JP/JP]; JP (UsOnly)
増田 健良 MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
原田 真 HARADA, Shin; JP
増田 健良 MASUDA, Takeyoshi; JP
Mandataire :
深見 久郎 FUKAMI, Hisao; 〒5300005 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー22階 深見特許事務所 Osaka Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2006-31401421.11.2006JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé :
(EN) This invention provides a silicon carbide semiconductor device having excellent operating properties and a process for producing the same. An enlarged terrace face is formed by Si film covering annealing on the surface of an initially grown layer (11) provided on a 4H-SiC substrate (10). A newly grown layer (21) is then epitaxially grown on the initially grown layer (11). A 3C-SiC part (21a), which is a polytype stable at low temperatures, is grown on the enlarged terrace face, and a 4H-SiC part (21b) is grown on the other region. The 3C-SiC part (21a) is selectively removed while allowing the 4H-SiC part (21b) to remain unremoved to form a trench (Tr). An UMOSFET gate electrode (27) is formed within the trench (Tr). The channel region in UMOSFET can be regulated as a low-dimensional number face, and a silicon carbide semiconductor device having a high level of channel mobility and excellent operating properties can be realized.
(FR) Cette invention concerne un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium ayant d'excellentes propriétés de fonctionnement et un procédé de fabrication de celui-ci. Une face de terrasse agrandie est formée par recuit de recouvrement de film de Si sur la surface d'une couche initialement développée (11) disposée sur un substrat 4H-SiC (10). Une couche nouvellement développée (21) est ensuite développée de façon épitaxiale sur la couche initialement développée (11). Une partie 3C-SiC (21a), qui est un polytype stable à basses températures, est développée sur la face de terrasse agrandie, et une partie 4H-SiC (21b) est développée sur l'autre région. La partie 3C-SiC (21a) est retirée de façon sélective tout en permettant à la partie 4H-SiC (21b) de rester non retirée pour former une tranchée (Tr). Une électrode de grille UMOSFET (27) est formée à l'intérieur de la tranchée (Tr). La région de canal dans UMOSFET peut être régulée en tant que face de nombre de dimension faible, et un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant un niveau élevé de mobilité de canal et d'excellentes propriétés de fonctionnement peut être réalisé.
(JA)  動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法が得られる。4H-SiC基板(10)上の初期成長層(11)の表面に、Si膜被覆アニールにより拡大テラス面を形成した後、初期成長層(11)の上に、新成長層(21)をエピタキシャル成長させる。拡大テラス面の上には、低温安定なポリタイプである3C-SiC部(21a)が成長し、他の領域上には、4H-SiC部(21b)が成長する。4H-SiC部(21b)を残して、3C-SiC部(21a)を選択的に除去してトレンチ(Tr)を形成し、トレンチ(Tr)内に、UMOSFETのゲート電極(27)を形成する。UMOSFETのチャネル領域を低次数面に制御することができ、チャネル移動度の高い、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置が得られる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020090091719EP2088628US20100314626CN101542739CA2669581