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1. (WO2008062720) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE QUI UTILISE UN SEMICONDUCTEUR À OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/062720 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/072234
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 09.11.2007
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP (AllExceptUS)
ITAGAKI, Naho [JP/JP]; JP (UsOnly)
IWASAKI, Tatsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
DEN, Toru [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
ITAGAKI, Naho; JP
IWASAKI, Tatsuya; JP
DEN, Toru; JP
Mandataire :
OKABE, Masao ; No. 602, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2006-31424321.11.2006JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR WHICH USES AN OXIDE SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE QUI UTILISE UN SEMICONDUCTEUR À OXYDE
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a thin film transistor containing an channel layer 11 having indium oxide, including forming an indium oxide film as an channel layer and subjecting the formed indium oxide film to an annealing in an oxidizing atmosphere.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à film mince contenant une couche de canal 11 ayant un oxyde d'indium, comprenant la formation d'un film d'oxyde d'indium en tant que couche de canal et le fait de soumettre le film d'oxyde d'indium formé à un recuit dans une atmosphère d'oxydation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090086602EP2084749US20090269880CN101548388