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1. (WO2008062686) MRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/062686 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071922
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 12.11.2007
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8246
Structures de mémoires mortes (ROM)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
14
utilisant des éléments à pellicules minces
15
utilisant des couches magnétiques multiples
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
杉林 直彦 SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
本田 雄士 HONDA, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
崎村 昇 SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; JP (UsOnly)
石綿 延行 ISHIWATA, Nobuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
田原 修一 TAHARA, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
杉林 直彦 SUGIBAYASHI, Tadahiko; JP
本田 雄士 HONDA, Takeshi; JP
崎村 昇 SAKIMURA, Noboru; JP
石綿 延行 ISHIWATA, Nobuyuki; JP
田原 修一 TAHARA, Shuichi; JP
Mandataire :
工藤 実 KUDOH, Minoru; 〒1400013 東京都品川区南大井六丁目24番10号カドヤビル6階 Tokyo 6F, KADOYA BLDG. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013, JP
Données relatives à la priorité :
2006-31720724.11.2006JP
Titre (EN) MRAM
(FR) MRAM
(JA) MRAM
Abrégé :
(EN) An MRAM includes: a plurality of magnetic memory cells each having a magnetoresistive element; and a magnetic field application unit. The magnetic field application unit applies an offset adjusting magnetic field of a certain direction to the magnetic memory cells from outside the magnetic memory cells. When no offset adjusting magnetic field is present, the data stored in the magnetic memory cells are all identical. With this configuration, it is difficult to steal data from the MRAM.
(FR) La présente invention concerne une MRAM qui comprend : une pluralité de cellules de mémoire magnétique dotées chacune d'un élément magnétorésistant ; et une unité d'application de champ magnétique. L'unité d'application de champ magnétique applique un réglage de décalage du champ magnétique d'une certaine direction vers les cellules de mémoire magnétique depuis l'extérieur des cellules de mémoire magnétique. En cas d'absence de réglage de décalage du champ magnétique, les données stockées dans les cellules de mémoire magnétique sont toutes identiques. Avec cette configuration, il est difficile de voler les données de la MRAM.
(JA)  MRAMは、各々が磁気抵抗素子を有する複数の磁気メモリセルと、磁場印加部とを備える。磁場印加部は、複数の磁気メモリセルに対して、複数の磁気メモリセルの外部から、ある方向のオフセット調整磁場を印加する。オフセット調整磁場が存在しない場合、複数の磁気メモリセルに格納されたデータは全て同じになる。このような構成により、データ盗難対策が施されたMRAMが提供される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
JPWO2008062686US20100046284JP4993143