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1. (WO2008062371) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR INTÉGRÉ DE TYPE DOHERTY PRÉSENTANT UNE EFFICACITÉ HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/062371 N° de la demande internationale : PCT/IB2007/054732
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 21.11.2007
CIB :
H03F 1/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
04
dans les amplificateurs à tubes à décharge
06
pour augmenter le rendement de l'amplification des ondes modulées de fréquence radio-électrique; pour augmenter le rendement des amplificateurs fonctionnant aussi en modulateurs
07
Amplificateurs du type Doherty
Déposants :
NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
BLEDNOV, Igor [RU/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs :
BLEDNOV, Igor; NL
Mandataire :
PENNINGS, Johannes, F., M.; c/o NXP Semiconductors IP Department HTC 60 1.31 Prof Holstlaan 4 NL-5656 AG Eindhoven , NL
Données relatives à la priorité :
06024273.223.11.2006EP
Titre (EN) INTEGRATED DOHERTY TYPE AMPLIFIER ARRANGEMENT WITH HIGH POWER EFFICIENCY
(FR) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR INTÉGRÉ DE TYPE DOHERTY PRÉSENTANT UNE EFFICACITÉ HAUTE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) The present invention shows a Doherty type of amplifier arrangement comprising a plurality of parallel unit cells. Each unit cell is of relatively low power. Suitably it comprises a compensation circuit at the input of the main amplifier and peak amplifier stage.
(FR) La présente invention concerne un dispositif amplificateur de type Doherty comprenant plusieurs cellules unitaires parallèles. Chaque cellule unitaire présente une puissance relativement faible. Il comprend judicieusement un circuit de compensation à l'entrée de l'amplificateur principal et un étage d'amplification de cellule.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20100026387