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1. (WO2008061464) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE À CI PAR SCELLEMENT INTÉGRAL DE LA COMBINAISON DES PUCES ET DES ÉLÉMENTS À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE D'EMBALLAGE PLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/061464 N° de la demande internationale : PCT/CN2007/070888
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.07.2008
CIB :
G06K 19/07 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
K
RECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19
Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
06
caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
067
Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit
07
avec des puces à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
凤凰微电子(中国)有限公司 PHOENIX MICROELECTRONICS (CHINA) CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市海淀区中关村东路清华科技园科技大厦A座18层, Beijing 100084 18/F, SP Tower A Tsinghua Science Park, Haidian District Beijing 100084, CN (AllExceptUS)
于赓 YU, Geng; CN (UsOnly)
孙军洲 SUN, Junzhou; CN (UsOnly)
支军 ZHI, Jun; CN (UsOnly)
王鹿童 WANG, Lutong; CN (UsOnly)
蔡卫华 CAI, Weihua; CN (UsOnly)
Inventeurs :
于赓 YU, Geng; CN
孙军洲 SUN, Junzhou; CN
支军 ZHI, Jun; CN
王鹿童 WANG, Lutong; CN
蔡卫华 CAI, Weihua; CN
Mandataire :
北京市浩天知识产权代理事务所 HAO TIAN LAW OFFICE; 中国北京市朝阳区光华路7号汉威大厦5A5, Beijing 100004 5A5, 5th Floor, Hanwei Plaza No.7 Guanghua Road, Chanyang District Beijing 100004, CN
Données relatives à la priorité :
200610114738.622.11.2006CN
Titre (EN) IC CARD MANUFACTURING METHOD BY INTERALLY SEALING THE COMBINATION OF CHIPS AND ELEMENTS BY USING PLASTIC PACKAGE TECHNIQUE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE À CI PAR SCELLEMENT INTÉGRAL DE LA COMBINAISON DES PUCES ET DES ÉLÉMENTS À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE D'EMBALLAGE PLASTIQUE
(ZH) 采用塑封工艺将芯片和元件组合封装成智能卡的方法
Abrégé :
(EN) An IC card manufacturing method by integrally sealing the combination of chips and elements by using plastic package techniques. The method includes the steps below: manufacturing double-face PCB board or multilayer PCB board , adopting new canning process which can integrally seal the combination of several chips and elements by using plastic package techniques in order to form an IC card module and then making it into Plug-in SIM card, or directly integrally sealing the combination of chips and elements in order to form suited size of Plug-in SIM card by using plastic package techniques.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication de carte à CI, par scellement intégral de la combinaison des puces et des éléments à l'aide de techniques d'emballage plastique. Le procédé comprend les étapes suivantes : fabrication d'une carte PCB double-face ou carte PCB multi-couche, adoption d'un nouveau procédé de remplissage pour sceller intégralement la combinaison de plusieurs puces et éléments à l'aide de techniques d'emballage plastique, afin de former un module de carte à CI, puis de le faire entrer dans la carte SIM à brancher, ou de sceller directement de manière intégrale la combinaison de puces et d'éléments pour former la taille convenable de carte SIM à brancher à l'aide de techniques d'emballage plastique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)