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1. (WO2008061166) MÉMOIRE MULTI-ÉTATS ET DISPOSITIFS MULTIFONCTIONNELS COMPRENANT DES MATÉRIAUX MAGNETOPLASTIQUES ET MAGNÉTO-ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/061166 N° de la demande internationale : PCT/US2007/084732
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 14.11.2007
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
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commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
Déposants :
BOISE STATE UNIVERSITY [US/US]; 1910 University Drive Boise, ID 83725, US (AllExceptUS)
MULLNER, Peter [US/US]; US (UsOnly)
KNOWLTON, William, B. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
MULLNER, Peter; US
KNOWLTON, William, B.; US
Mandataire :
PEDERSEN, Ken, J. ; Pedersen & Company, PLLC P.O. Box 2666 Boise, ID 83701, US
Données relatives à la priorité :
60/859,16314.11.2006US
Titre (EN) MULTI-STATE MEMORY AND MULTI-FUNCTIONAL DEVICES COMPRISING MAGNETOPLASTIC OR MAGNETOELASTIC MATERIALS
(FR) MÉMOIRE MULTI-ÉTATS ET DISPOSITIFS MULTIFONCTIONNELS COMPRENANT DES MATÉRIAUX MAGNETOPLASTIQUES ET MAGNÉTO-ÉLASTIQUES
Abrégé :
(EN) Apparatus and methods are disclosed that enable writing data on, and reading data of, multi-state elements having greater than two states. The elements may be made of magnetoplastic and/or magnetoelastic materials, including, for example, magnetic shape- memory alloy or other materials that couple magnetic and crystallographic states. The writing process is preferably conducted through the application of a magnetic field and/or a mechanical action. The reading process is preferably conducted through atomic-force microscopy, magnetic-force microscopy, spin-polarized electrons, magneto-optical Kerr effect, optical interferometry or other methods, or other methods/effects. The multifunctionality (crystallographic, magnetic, and shape states each representing a functionality) of the multi-state elements allows for simultaneous operations including read&write, sense&indicate, and sense&control. Embodiments of the invention may be used, for example, for storing, modifying, and accessing data for device, sensor, actuator, logic and memory applications. Embodiments may be particularly effective for non-volatile memory or other read&write, sense&indicate, and/or sense&control functions in computer or other applications; such simultaneous operation of two (or more) of said multiple functionalities open new pathways for miniaturization of devices.
(FR) L'invention concerne un appareil et des procédés qui permettent d'écrire des données et de lire des données sur des éléments multi-états possédant plus de deux états. Les éléments peuvent être faits de matériaux magnétoplastiques et/ou magnéto-élastiques, y compris par exemple un alliage magnétique à mémoire de forme ou d'autres matériaux qui couplent les états magnétiques et cristallographiques. Le processus d'écriture se fait de préférence par l'application d'un champ magnétique et/ou d'une action mécanique. Le processus de lecture se fait de préférence par microscopie à force atomique, par microscopie à force magnétique, par électrons polarisés en rotation rapide, par effet de Kerr magnéto-optique, par interférométrie optique ou par d'autres procédés, ou par d'autres procédés/effets. La multifonctionnalité (cristallographie, magnétisme et états de forme représentant chacun une fonctionnalité) des éléments multi-états permet des opérations simultanées comme la lecture/écriture, la détection/indication et la détection/commande. Des modes de réalisation de l'invention peuvent par exemple être utilisés pour stocker, modifier et accéder à des données pour un dispositif, un capteur, un actionneur, une logique et des applications mémoire. Des modes de réalisation sont particulièrement efficaces pour les mémoires non volatiles ou d'autres fonctions de lecture/écriture, détection/indication et détection/commande dans un ordinateur ou pour d'autres applications. Cette opération simultanée de deux (ou plus) desdites fonctionnalités ouvre de nouvelles voies pour la miniaturisation de dispositifs.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
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Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)