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1. (WO2008060646) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC INTERCONNEXIONS DE NANOTUBES EN CARBONE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/060646 N° de la demande internationale : PCT/US2007/064630
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 22.03.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 47/02 (2006.01) ,B82B 1/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
47
Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à effet Gunn
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
B
NANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1
Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
Déposants :
MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, Illinois 60196, US (AllExceptUS)
SWIRBEL, Thomas, J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
SWIRBEL, Thomas, J.; US
Mandataire :
DOUTRE, Barbara, R. ; 8000 West Sunrise Boulevard, Room 1610 Plantation, Florida 33322, US
Données relatives à la priorité :
11/278,47803.04.2006US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CARBON NANOTUBE INTERCONNECTS AND METHOD OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC INTERCONNEXIONS DE NANOTUBES EN CARBONE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An integrated circuit having carbon nanotube interconnects contains input/output pads situated on the upper surface, the pads arranged in an array having at least two rows. Carbon nanotubes are disposed on the input/output pads to provide electrical and thermal interconnection of the integrated circuit chip to another circuit such as a printed circuit board. The carbon nanotubes can be plated with one or more overlayers of metal.
(FR) La présente invention concerne un circuit intégré qui comporte des interconnexions de nanotubes en carbone et qui contient des plots d'entrée/sortie situés sur la surface supérieure, les plots agencés dans une série qui comprend au moins deux rangées. Des nanotubes en carbone sont disposés sur les plots d'entrée/sortie pour fournir une interconnexion électrique et thermique de la puce de circuit intégré à un autre circuit tel qu'une carte de circuit imprimé. Les nanotubes en carbone peuvent être enduits avec une ou plusieurs surcouches de métal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)