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1. (WO2008060543) DIODE P-I-N CRISTALLISÉE CONTIGUË À UN SILICIURE EN SÉRIE AVEC UN ANTIFUSIBLE DIÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/060543 N° de la demande internationale : PCT/US2007/023855
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 13.11.2007
CIB :
H01L 27/102 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
102
comprenant des composants bipolaires
Déposants :
SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
HERNER, S., Brad [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
HERNER, S., Brad; US
Mandataire :
DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC 245 Saw Mill River Road Suite 309 Hawthorne, NY 10532 , US
Données relatives à la priorité :
11/560,28315.11.2006US
11/560,28915.11.2006US
Titre (EN) P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC ANTIFUSE AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) DIODE P-I-N CRISTALLISÉE CONTIGUË À UN SILICIURE EN SÉRIE AVEC UN ANTIFUSIBLE DIÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé :
(EN) A method is described for forming a nonvolatile one-time-programmable memory cell having reduced programming voltage. A contiguous p-i-n diode is paired with a dielectric rupture antifuse formed of a high-dielectric-constant material, having a dielectric constant greater than about 8. In preferred embodiments, the high-dielectric-constant material is formed by atomic layer deposition. The diode is preferably formed of deposited low- defect semiconductor material, crystallized in contact with a suicide. A monolithic three dimensional memory array of such cells can be formed in stacked memory levels above the wafer substrate.
(FR) L'invention porte sur une méthode de formation d'une cellule de mémoire non volatile programmable une seule fois et à tension de programmation réduite. Une diode p-i-n contiguë est appariée avec un antifusible de rupture diélectrique fait d'un matériau à forte constante diélectrique, de plus d'environ 8. Dans des exécutions préférées, le matériau à forte constante diélectrique est formé par dépôt d'une couche atomique. La diode est de préférence formée d'un matériau semi-conducteur à faibles défauts cristallisé en contact avec un siliciure. On peut former un réseau de mémoires à 3D comprenant de telles cellules empilées dans des niveaux de mémoires au-dessus du substrat de la tranche.
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Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090089320EP2092562JP2010510656CN101553925