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1. (WO2008060349) PROCÉDÉ POUR UNE CROISSANCE HÉTÉROÉPITAXIALE DE GAN, INN, ET AIN À FACE N DE HAUTE QUALITÉ ET POUR LEURS ALLIAGES PAR UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ORGANIQUE DE MÉTAL
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N° de publication : WO/2008/060349 N° de la demande internationale : PCT/US2007/020037
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 14.09.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, CA 94607, US (AllExceptUS)
KELLER, Stacia [DE/US]; US (UsOnly)
MISHRA, Umesh, K. [US/US]; US (UsOnly)
FICHTENBAUM, Nicholas, A. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KELLER, Stacia; US
MISHRA, Umesh, K.; US
FICHTENBAUM, Nicholas, A.; US
Mandataire :
ORLER, Anthony, J. ; Gates & Cooper LLP 6701 Center Drive West Suite 1050 Los Angeles, CA 90045, US
Données relatives à la priorité :
11/855,59114.09.2007US
60/866,03515.11.2006US
Titre (EN) METHOD FOR HETEROEPITAXIAL GROWTH OF HIGH-QUALITY N-FACE GAN, INN, AND AIN AND THEIR ALLOYS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ POUR UNE CROISSANCE HÉTÉROÉPITAXIALE DE GAN, INN, ET AIN À FACE N DE HAUTE QUALITÉ ET POUR LEURS ALLIAGES PAR UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ORGANIQUE DE MÉTAL
Abrégé :
(EN) Methods for the heteroepitaxial growth of smooth, high quality films of N- face GaN film grown by MOCVD are disclosed. Use of a misoriented substrate and possibly nitridizing the substrate allow for the growth of smooth N-face GaN and other Group III nitride films as disclosed herein. The present invention also avoids the typical large (&mgr;m sized) hexagonal features which make N-face GaN material unacceptable for device applications. The present invention allows for the growth of smooth, high quality films which makes the development of N-face devices possible.
(FR) L'invention concerne des procédés pour la croissance hétéroépitaxiale de films lisses de haute qualité, constitués d'un film de GaN à face N mis à croître par MOCVD. L'utilisation d'un substrat non orienté et la nitruration possible du substrat permettent la croissance de films lisses de GaN à face N et d'autres films de nitrure du groupe III, tels que décrit par les présentes. Cette invention évite également les grandes caractéristiques hexagonales typiques (dimension de l'ordre de µm) qui rendent le matériau de GaN à face N inacceptable pour des applications de dispositif. La présente invention permet la croissance de films lisses de haute qualité qui rendent possible le développement de dispositifs à face N.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP2087507JP2010509177CA2669228