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1. (WO2008060266) LITHOGRAPHIE PAR IMPRESSION ARBITRAIRE DE NANOGABARIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/060266 N° de la demande internationale : PCT/US2006/038949
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 03.10.2006
CIB :
G03F 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
Déposants :
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139, US (AllExceptUS)
BERGGREN, Karl, K. [US/US]; US (UsOnly)
HARRER, Stefan [DE/DE]; DE (UsOnly)
SALVATORE, Giovanni, A. [IT/IT]; IT (UsOnly)
YANG, Joel, K. [MY/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
BERGGREN, Karl, K.; US
HARRER, Stefan; DE
SALVATORE, Giovanni, A.; IT
YANG, Joel, K.; US
Mandataire :
LOBER, Theresa, A.; T. A. Lober Patent Services 45 Walden Street Concord, MA 01742, US
Données relatives à la priorité :
60/723,18403.10.2005US
Titre (EN) NANOTEMPLATE ARBITRARY-IMPRINT LITHOGRAPHY
(FR) LITHOGRAPHIE PAR IMPRESSION ARBITRAIRE DE NANOGABARIT
Abrégé :
(EN) In a method for imprinting a layer of material, a nanotemplate is impressed into a material layer, and the nanotemplate is maintained impressed in the material layer until a geometric trench corresponding to geometry of the nanotemplate is formed in the layer, and the nanotemplate is then removed from the material layer. A nanotemplate geometric trench is repeatedly formed in the material layer by nanotemplate impressions in the layer, until a final desired imprint pattern is produced in the layer. Each nanotemplate geometric trench is characterized by an extent that is a fraction of an extent of the final desired imprint pattern. The material layer is maintained in a condition for accepting nanotemplate impressions continuously throughout the nanotemplate impression repetition.
(FR) L'invention concerne un procédé pour imprimer une couche de matériau. Le procédé comporte les étapes consistant à imprimer un nanogabarit dans une couche de matériau ; maintenir le nanogabarit imprimé dans la couche de matériau jusqu'à ce qu'une tranchée géométrique correspondant à la géométrie du nanogabarit soit formée dans la couche ; enlever le nanogabarit de la couche de matériau. Une tranchée géométrique de nanogabarit est formée de manière répétée dans la couche de matériau par des impressions de nanogabarit dans la couche, jusqu'à ce qu'un motif d'impression final souhaité soit produit dans la couche. Chaque tranchée géométrie de nanogabarit est caractérisée par une étendue qui est une fraction d'une étendue du motif d'impression final souhaité. La couche de matériau est maintenue dans une condition lui permettant d'accepter des impressions de nanogabarit en continu d'un bout à l'autre de la répétition d'impression de nanogabarit.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)