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1. (WO2008059825) CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/059825 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071992
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 13.11.2007
CIB :
G01S 17/36 (2006.01) ,G01C 3/06 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
17
Systèmes utilisant la réflexion ou reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p.ex. systèmes lidar
02
Systèmes utilisant la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que des ondes radio
06
Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible
08
pour mesurer la distance uniquement
32
utilisant la transmission d'ondes continues non modulées ou modulées en amplitude, en fréquence ou en phase
36
avec comparaison en phase entre le signal reçu et le signal transmis au même moment
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
3
Mesure des distances dans la ligne de visée; Télémètres optiques
02
Détails
06
Utilisation de moyens électriques pour obtenir une indication finale
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
17
Systèmes utilisant la réflexion ou reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p.ex. systèmes lidar
88
Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques
89
pour la cartographie ou la représentation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K. K. [JP/JP]; 〒4358558 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 Shizuoka 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP (AllExceptUS)
佐原 正哲 SAHARA, Masanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
武村 光隆 TAKEMURA, Mitsutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
山本 晃永 YAMAMOTO, Koei [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
佐原 正哲 SAHARA, Masanori; JP
武村 光隆 TAKEMURA, Mitsutaka; JP
山本 晃永 YAMAMOTO, Koei; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Données relatives à la priorité :
2006-30957115.11.2006JP
Titre (EN) DISTANCE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
(JA) 距離画像センサ
Abrégé :
(EN) When a first reverse bias voltage applied between a semiconductor substrate (11) and a first semiconductor region (13) is an H bias in a distance image sensor (8), first depletion layers (A1, A1) spreading from the pn junctions of adjacent first semiconductor regions (13) are spread and connected to cover a second depletion layer (B1) spreading from the pn junction of the second semiconductor region (14). Consequently, carriers (C) generated in the vicinity of the backside (11a) in the semiconductor substrate (11) are captured surely in the first depletion layer (A1). When a second reverse bias voltage applied between the semiconductor substrate (11) and the second semiconductor region (14) is an H bias, adjacent second depletion layers are spread and connected to cover the first depletion layer. Consequently, carriers generated in the vicinity of the backside in the semiconductor substrate are captured surely in the second depletion layer.
(FR) Lorsqu'une première tension de polarisation inverse appliquée entre un substrat semi-conducteur (11) et une première région semi-conductrice (13) est une polarisation H dans un capteur d'image de distance (8), des premières couches d'appauvrissement (A1, A1) s'étendant à partir des jonctions PN de premières régions semi-conductrices adjacentes (13) s'étendent et sont connectées pour recouvrir une seconde couche d'appauvrissement (B1) s'étendant à partir des jonctions PN de la seconde région semi-conductrice (14). Par conséquent, les ondes porteuses (C) générées à proximité de la partie arrière (11a) dans le substrat semi-conducteur (11) sont capturées sûrement dans la première couche d'appauvrissement (A1). Lorsqu'une seconde tension de polarisation inverse appliquée entre le substrat semi-conducteur (11) et la seconde région semi-conductrice (14) est une polarisation H, des secondes couches d'appauvrissement adjacentes s'étendent et sont connectées pour recouvrir la première couche d'appauvrissement. Par conséquent, les ondes porteuses générées à proximité de la partie arrière dans le substrat semi-conducteur sont capturées sûrement dans la seconde couche d'appauvrissement.
(JA)  距離画像センサ8は、半導体基板11及び第1半導体領域13の間に印加される第1逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第1半導体領域13のpn接合から拡がる第1空乏層A1,A1は拡がると共に、第2半導体領域14のpn接合から拡がる第2空乏層B1を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板11において裏面11a近傍で発生したキャリアCを第1空乏層A1にて確実に捕捉する。また、半導体基板11及び第2半導体領域14の間に印加される第2逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第2空乏層は、拡がると共に第1空乏層を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板において裏面近傍で発生したキャリアを第2空乏層にて確実に捕捉する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP2093590US20100078749