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1. (WO2008059816) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ORGANIQUE ET TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ORGANIQUE PHOTOÉMETTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/059816 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071967
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 13.11.2007
CIB :
H01L 51/30 (2006.01) ,C09K 11/06 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
06
contenant des substances organiques luminescentes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Déposants :
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
齊藤 雅俊 SAITO, Masatoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
中野 裕基 NAKANO, Yuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
中村 浩昭 NAKAMURA, Hiroaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
齊藤 雅俊 SAITO, Masatoshi; JP
中野 裕基 NAKANO, Yuki; JP
中村 浩昭 NAKAMURA, Hiroaki; JP
Mandataire :
大谷 保 OHTANI, Tamotsu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門三丁目25番2号 ブリヂストン虎ノ門ビル6階 大谷特許事務所 Tokyo OHTANI PATENT OFFICE, Bridgestone Toranomon Bldg. 6F., 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2006-30787014.11.2006JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND ORGANIC THIN FILM LIGHT-EMITTING TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ORGANIQUE ET TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ORGANIQUE PHOTOÉMETTEUR
(JA) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
Abrégé :
(EN) Disclosed is an organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate, and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode. In this organic thin film transistor, the organic semiconductor layer contains a specific organic compound having a divalent aromatic hydrocarbon group which has a phenanthrene structure in the center. This organic thin film transistor has high response speed and high on/off ratio. Also disclosed is an organic thin film light-emitting transistor using such an organic thin film transistor, wherein light emission is obtained by utilizing the source-drain current in the organic thin film transistor, while controlling the light emission by applying a voltage to the gate electrode.
(FR) La présente invention concerne un transistor en couche mince organique dont au moins trois bornes, en l'occurrence l'électrode de grille, l'électrode de source et l'électrode du collecteur, ainsi qu'une couche isolante et une couche semi-conductrice organique sont formées sur un substrat, le courant source-collecteur étant commandé par application d'une tension à l'électrode de grille. Dans ce transistor en couche mince organique la couche semi-conductrice organique contient un composé organique spécifique portant un groupe hydrocarbure aromatique bivalent dont le centre est une structure phénanthrène. Ce transistor en couche mince organique se distingue par sa vitesse de réponse élevée et son rapport marche/arrêt élevé. L'invention concerne également un transistor en couche mince organique photoémetteur utilisant un tel transistor en couche mince organique, l'émission de lumière s'obtenant en utilisant le courant source-collecteur dans le transistor en couche mince organique, tout en commandant l'émission de lumière par application d'une tension à l'électrode de grille.
(JA)  少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にフェナントレン構造を有する2価の芳香族炭化水素基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020090080521EP2083456EP2083456JPWO2008059816US20090256145CN101553940
JP5337490