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1. (WO2008059679) COMPOSÉ, GÉNÉRATEUR D'ACIDE, COMPOSITION DE RÉSIST, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSIST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/059679 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/069670
Date de publication : 22.05.2008 Date de dépôt international : 09.10.2007
CIB :
C07D 333/76 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
333
Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
50
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
76
Dibenzothiophènes
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
岩井 武 IWAI, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
入江 真樹子 IRIE, Makiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
川上 晃也 KAWAUE, Akiya [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
岩井 武 IWAI, Takeshi; JP
入江 真樹子 IRIE, Makiko; JP
川上 晃也 KAWAUE, Akiya; JP
Mandataire :
棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453, JP
Données relatives à la priorité :
2006-31170817.11.2006JP
Titre (EN) COMPOUND, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSÉ, GÉNÉRATEUR D'ACIDE, COMPOSITION DE RÉSIST, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSIST
(JA) 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
Abrégé :
(EN) A compound represented by the general formula (b1-5). (b1-5) wherein R41, R42 and R43 independently represent an alkyl group, an acetyl group, an alkoxy group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group; n0 represents an integer of 1 to 3; n1 represents an integer of 0 to 3; n2 and n3 independently represent an integer of 0 to 3; and X- represents an anion.
(FR) L'invention concerne un composé représenté par la formule générale (b1-5). (b1-5) dans laquelle R41, R42 et R43 représentent indépendamment un groupe alkyle, un groupe acétyle, un groupe alcoxy, un groupe carboxy ou un groupe hydroxyalkyle ; n0 représente un entier de 1 à 3 ; n1 représente un entier de 0 à 3 ; n2 et n3 représentent indépendamment un entier de 0 à 3 ; et X- représente un anion.
(JA)   下記一般式(b1-5)で表される化合物。    [式中、R41、R42およびR43はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、またはヒドロキシアルキル基であり;nは1~3の整数であり、nは0~3の整数であり、nおよびnはそれぞれ独立して0~3の整数であり;Xはアニオンである。]
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)