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1. (WO2008058082) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE LECTURE ET D'ÉCRITURE ADAPTATIFS POUR DES CELLULES DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/058082 N° de la demande internationale : PCT/US2007/083649
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 05.11.2007
CIB :
G11C 16/28 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
28
utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p.ex. des cellules factices
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
Déposants :
MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'horizon, Gunsite Road, Brittons Hill St, Michael, BB14027, BB (AllExceptUS)
YANG, Xueshi [CN/US]; US (UsOnly)
BURD, Gregory [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
YANG, Xueshi; US
BURD, Gregory; US
Mandataire :
AUYENG, Aloysius, T.C. ; Schwabe, Williamson & Wyatt, P.C. Pacwest Center, Suite 1900 1211 SW Fifth Avenue Portland, OR 97204, US
Données relatives à la priorité :
11/932,82931.10.2007US
60/864,46806.11.2006US
60/910,32505.04.2007US
Titre (EN) ADAPTIVE READ AND WRITE SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY CELLS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE LECTURE ET D'ÉCRITURE ADAPTATIFS POUR DES CELLULES DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Adaptive memory read and write systems and methods are described herein that adapts to changes to threshold voltage distributions of memory cells as of result of, for example, the detrimental affects of repeated cycling operations of the memory cells. The novel systems may include at least multi-level memory cells, which may be multi-level flash memory cells, and a computation block operatively coupled to the multi-level memory cells. The computation block may be configured to compute optimal or near optimal mean and detection threshold values based, at least in part, on estimated mean and standard deviation values of level distributions of the multi-level memory cells. The optimal or near optimal mean and detection threshold values computed by the computation block may be subsequently used to facilitate writing and reading, respectively, of data to and from the multi-level memory cells.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés de lecture et d'écriture de mémoire adaptatifs qui s'adaptent à des changements de répartitions de tension de seuil de cellules de mémoire suite par exemple à des affections nuisibles d'opérations de cycle répétées des cellules de mémoire. Les nouveaux systèmes peuvent comprendre au moins des cellules de mémoire à plusieurs niveaux, qui peuvent être des cellules de mémoire flash à plusieurs niveaux, et un bloc de calcul couplé de manière opérationnelle aux cellules de mémoire à plusieurs niveaux. Le bloc de calcul peut être configuré pour calculer des valeurs de seuil moyennes et de détection optimales ou presque optimales sur la base, au moins en partie, de valeurs d'écart moyennes et standards estimées de répartitions de niveau des cellules de mémoire à plusieurs niveaux. Les valeurs de seuil moyennes et de détection optimales ou presque optimales calculées par le bloc de calcul peuvent être utilisées consécutivement pour faciliter une écriture et une lecture, respectivement, de données sur les cellules de mémoire à plusieurs niveaux, ou à partir de celles-ci.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090077856CN101536108