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1. (WO2008057593) PCM DE SUBSTRATS À BASE DE CUIVRE/RUTHÉNIUM/TANTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/057593 N° de la demande internationale : PCT/US2007/023576
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 01.11.2007
CIB :
C09K 3/14 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
Déposants :
CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; Legal Department 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504, US
Inventeurs :
BRUSIC, Vlasta; US
ZHOU, Renjie; US
THOMPSON, Christopher; US
FEENEY, Paul; US
Mandataire :
WESEMAN, Steven ; Associate General Counsel, Intellectual Property Cabot Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504, US
Données relatives à la priorité :
11/591,73002.11.2006US
Titre (EN) CMP OF COPPER/RUTHENIUM/TANTALUM SUBSTRATES
(FR) PCM DE SUBSTRATS À BASE DE CUIVRE/RUTHÉNIUM/TANTALE
Abrégé :
(EN) The invention provides a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate. The polishing composition comprises an abrasive, an oxidizing agent, an amphiphilic nonionic surfactant, calcium ion or magnesium ion, a corrosion inhibitor for copper, and water, wherein the pH of the polishing composition is 6 to 12. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique destinée à polir un substrat. La composition de polissage comprend un abrasif, un agent oxydant, un agent tensio-actif non ionique amphiphile, un ion de calcium ou un ion de magnésium, un inhibiteur de corrosion pour le cuivre et de l'eau, le pH de la composition de polissage étant dans la gamme de 6 à 12. L'invention concerne en outre un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat avec la composition de polissage mentionnée ci-dessus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
SG151973KR1020090086421IL198373EP2087061JP2010509755CN101535442
MYPI 20091789