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1. (WO2008057438) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS DE COMMUTATION DE PUISSANCE POURVUS DE DÉRIVATIONS DE REDRESSEMENT À JONCTIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/057438 N° de la demande internationale : PCT/US2007/023179
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 02.11.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 03.09.2008
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
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Types de dispositifs semi-conducteurs
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commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
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Dispositifs unipolaires
Déposants :
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703, US (AllExceptUS)
HEFNER, Allen [US/US]; US (UsOnly)
RYU, Sei-hyung [KR/US]; US (UsOnly)
AGARWAL, Anant [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
HEFNER, Allen; US
RYU, Sei-hyung; US
AGARWAL, Anant; US
Mandataire :
MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627, US
Données relatives à la priorité :
11/556,44803.11.2006US
Titre (EN) POWER SWITCHING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING RECTIFYING JUNCTION-SHUNTS
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS DE COMMUTATION DE PUISSANCE POURVUS DE DÉRIVATIONS DE REDRESSEMENT À JONCTIONS
Abrégé :
(EN) A semiconductor device includes a drift layer having a first conductivity type and a body region adjacent the drift layer. The body region has a second conductivity type opposite the first conductivity type and forms a p-n junction with the drift layer. The device further includes a contactor region in the body region and having the first conductivity type, and a shunt channel region extending through the body region from the contactor region to the drift layer. The shunt channel region has the first conductivity type. The device further includes a first terminal in electrical contact with the body region and the contactor region, and a second terminal in electrical contact with the drift layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant une couche de migration ayant un premier type de conductivité et une zone de corps adjacente à la couche de migration. La zone de corps a un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité et forme une jonction p-n avec la couche de migration. Le dispositif contient en outre une région de contact dans la région de corps ayant un premier type de conductivité et une région de canal de dérivation s'étendant à travers toute la région de corps depuis la région de contact jusqu'à la région de migration. La région du canal de dérivation a une conductivité du premier type. Le dispositif contient en outre une première borne en contact électrique avec la région de corps et la région de contact et une seconde borne en contact électrique avec la couche de migration. La région de canal de dérivation a une longueur, une épaisseur et une concentration en dopant sélectionnée de manière que : 1) la région de canal de dérivation soit totalement appauvrie lorsqu'une tension nulle est appliquée sur les première et seconde bornes, 2) le canal de dérivation devient conducteur pour une tension inférieure au potentiel intégré de la couche de migration appliqué à la jonction p-n de la région de corps, et/ou 3) le canal de dérivation n'est pas conducteur pour des tensions inversant la polarisation de la jonction p-n entre la région de migration et la région de corps.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090083353EP2082432JP2010509771CN101536194