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1. (WO2008057157) PROCÉDÉ À BASSE TEMPÉRATURE POUR DÉPOSER UN ABSORBEUR OPTIQUE NON PELABLE À COEFFICIENT D'EXTINCTION ÉLEVÉ POUR UN RECUIT DE SURFACE DE LASER À BALAYAGE DE DOPANTS IMPLANTÉS
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N° de publication : WO/2008/057157 N° de la demande internationale : PCT/US2007/020274
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 18.09.2007
CIB :
H01L 21/425 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
42
Bombardement par des radiations
423
par des radiations d'énergie élevée
425
produisant une implantation d'ions
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
PARIHAR, Vijay; US
BENCHER, Christopher Dennis; US
KANURI, Rajesh; US
MENEZES, Marlon; US
Mandataire :
WALLACE, Robert; Law Office Of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, CA 93003, US
Données relatives à la priorité :
11/697,26705.04.2007US
60/856,62103.11.2006US
Titre (EN) A LOW TEMPERATURE PROCESS FOR DEPOSITING A HIGH EXTINCTION COEFFICIENT NON-PEELING OPTICAL ABSORBER FOR A SCANNING LASER SURFACE ANNEAL OF IMPLANTED DOPANTS
(FR) PROCÉDÉ À BASSE TEMPÉRATURE POUR DÉPOSER UN ABSORBEUR OPTIQUE NON PELABLE À COEFFICIENT D'EXTINCTION ÉLEVÉ POUR UN RECUIT DE SURFACE DE LASER À BALAYAGE DE DOPANTS IMPLANTÉS
Abrégé :
(EN) A plasma enhanced physical vapor deposition process deposits an amorphous carbon layer on an ion-implanted wafer for use in dynamic surface annealing of the wafer with an intense line beam of a laser wavelength. The deposition process is carried out at a wafer temperature below the dopant clustering threshold temperature, and includes introducing the wafer into a chamber having a carbon-containing target overlying the wafer, and furnishing a carrier gas into the chamber. The process further includes generating a wafer bias voltage and applying target source power to the carbon-containing target sufficient to produce ion bombardment of the carbon-containing target. The wafer bias voltage is set to a level at which the amorphous carbon layer that is deposited has a desired extinction coefficient at the laser wavelength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de dépôt physique en phase vapeur amélioré par plasma permettant de déposer une couche de carbone amorphe sur une galette d'ions implantés pour utilisation dans le recuit de surface dynamique de la galette avec un faisceau de ligne intense d'une longueur d'onde laser. Le procédé de dépôt s'effectue à une température de galette inférieure à la température seuil de regroupement de dopant, et consiste à introduire la galette dans une chambre ayant une cible contenant du carbone entourant la galette, et à injecter un gaz vecteur dans la chambre. Le procédé consiste également à générer une tension de polarisation de galette et à appliquer l'alimentation en énergie cible à la cible contenant du carbone de façon suffisante pour produire un bombardement ionique de la cible contenant du carbone. La tension de polarisation de la galette est fixée à un niveau auquel la couche de carbone amorphe qui est déposée comprend un coefficient d'extinction souhaité à la longueur d'onde laser.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)