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1. (WO2008056761) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/056761 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071771
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 09.11.2007
CIB :
C30B 29/36 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36
Carbures
Déposants :
株式会社ブリヂストン BRIDGESTONE CORPORATION [JP/JP]; 〒1048340 東京都中央区京橋1丁目10番1号 Tokyo 10-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1048340, JP (AllExceptUS)
熊谷 祥 KUMAGAI, Sho; null (UsOnly)
近藤 大輔 KONDO, Daisuke; null (UsOnly)
石原 秀俊 ISHIHARA, Hidetoshi; null (UsOnly)
Inventeurs :
熊谷 祥 KUMAGAI, Sho; null
近藤 大輔 KONDO, Daisuke; null
石原 秀俊 ISHIHARA, Hidetoshi; null
Mandataire :
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2006-30406609.11.2006JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
Abrégé :
(EN) A single crystal of silicon carbide is grown by using, as a raw material for silicon carbide, a powder produced by grinding a polycrystal of silicon carbide produced by chemical vapor deposition, whereby a single crystal of silicon carbide having a low impurity concentration in its inside and high electrical resistivity can be produced.
(FR) On fait croître un monocristal de carbure de silicium en utilisant, comme matière première pour le carbure de silicium, une poudre produite par broyage d'un polycristal de carbure de silicium obtenu par déposition en phase vapeur par procédé chimique, ce par quoi l'on peut obtenir un monocristal du carbure de silicium ayant une faible concentration en impuretés dans son intérieur et une résistivité électrique élevée.
(JA) 化学気相成長法により製造された炭化珪素多結晶体を粉砕することにより得られた粉体を炭化珪素原料として炭化珪素単結晶を結晶成長させる。これにより、内部に含まれる不純物の濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶を製造することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)